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cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高級鐵電工藝的高性能4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器（即FRAM）與RAM相同，是執行讀和寫(xiě)操作的易失性存儲器。它提供151年的可靠數據保留時(shí)間，并解決了由串行閃存和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開(kāi)銷(xiāo)和系統級可靠性的問(wèn)題。 與串行閃存不同的是，CY15B104QSN以總線(xiàn)速度執行寫(xiě)操作。并且不引起寫(xiě)操作的延遲。在每個(gè)字節成功傳輸到器件后，數據立即被寫(xiě)入到存儲器陣列內。這時(shí)可以開(kāi)始執行下一個(gè)總線(xiàn)周期而不需要輪詢(xún)數據。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫(xiě)次數。CY15B104QSN能夠提供1014次的讀/寫(xiě)周期，或支持比EEPROM多1億次的寫(xiě)周期。由于具有這些特性，因此CY15B104QSN非常適用于需要頻繁或快速寫(xiě)操作的非易失性存儲器應用。示例的范圍包括從數據收集（其中寫(xiě)周期數量是非常重要的）到滿(mǎn)足工業(yè)級控制（其中串行Flash的較長(cháng)寫(xiě)時(shí)間會(huì )使數據丟失）。 CY15B104QSN將4Mbit FRAM與高速度四線(xiàn)SPI（QPI）SDR和DDR接口相結合，從而增強鐵電存儲器技術(shù)的非易失性寫(xiě)入功能。該器件包含一個(gè)只讀的器件ID和唯一ID特性，通過(guò)它們，SPI總線(xiàn)主設備可以確定器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和唯一ID。該器件包含一個(gè)唯一只讀序列號，可用來(lái)識別某個(gè)電路板或系統。 該器件支持片上ECC邏輯，可以在每個(gè)8字節數據單元內檢測和糾正單比特錯誤。該器件還包含在8字節數據單元中提供雙比特錯誤報告的擴展功能。CY15B104QSN還支持循環(huán)冗余校驗（CRC），可用來(lái)校驗存儲器陣列中所存儲數據的完整性。代理商英尚微支持提供產(chǎn)品技術(shù)支持。 性能 ■4Mbit鐵電性隨機存取存儲器（FRAM）的邏輯組織方式為512Kx8 ❐提供了一百萬(wàn)億次（1014）的讀/寫(xiě)周期，幾乎為無(wú)限次數的耐久性。 ❐151年數據保留時(shí)間 ❐NoDelay™寫(xiě)操作 ❐高級高可靠性的鐵電工藝 ■單線(xiàn)和多線(xiàn)I/O串行外設接口（SPI） ❐串行總線(xiàn)接口SPI協(xié)議 ❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），適用于所有SDR模式轉換 ❐支持SPI模式0（0，0），適用于所有DDR模式轉換 ❐擴展型I/OSPI協(xié)議 ❐雙線(xiàn)SPI（DPI）協(xié)議 ❐四線(xiàn)SPI（QPI）協(xié)議 ■SPI時(shí)鐘頻率 ❐最高108MHz頻率SPI的單倍數據速率（SDR） ❐最高54MHz頻率SPI的雙倍數據速率（DDR） ■芯片內執行（XIP）模式下的存儲器讀/寫(xiě)操作 ■寫(xiě)入保護，數據安全性，數據完整性 ■使用寫(xiě)保護（WP）引腳提供硬件保護 ■軟件模塊保護 ■提高數據完整性的糾錯碼（ECC）和循環(huán)冗余校驗（CRC） ❐檢測并糾正但比特錯誤的ECC。在發(fā)生雙比特錯誤時(shí)，它將不糾正錯誤，但將通過(guò)ECC狀態(tài)寄存器進(jìn)行錯誤報告 ❐CRC將檢測原始數據的任意意外更改 ■擴展的電子簽名 ❐器件ID包含制造商ID和產(chǎn)品ID ❐唯一ID ❐用戶(hù)可編程序列號。 ■專(zhuān)用256字節特殊扇區FRAM ❐專(zhuān)用特殊扇區寫(xiě)和讀操作 ❐內容可以在最多3個(gè)標準回流焊周期內保持不變 ■高速度，低功耗 ❐SPISDR頻率為108MHz時(shí)，有效電流為10mA（典型值） ❐QSPISDR頻率為108MHz并且QSPIDDR頻率為54MHz時(shí)，有效電流為16mA（典型值） ❐待機電流為110μA（典型值） ❐深度掉電模式電流為0.80μA（典型值） ❐休眠模式電流為0.1μA（典型值） ■低電壓操作： ❐CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V ■工作溫度范圍：–40℃到+85℃ ■封裝 ❐8pin小型塑封集成電路（SOIC）封裝 ❐8pin網(wǎng)格陣列四方扁平無(wú)引線(xiàn)（GQFN）封裝 ■符合有害物質(zhì)限制標準（RoHS） CY15B104QSN是一個(gè)串行FRAM存儲器。該存儲器陣列被邏輯組織為 524,288 ×8 位。通過(guò)使用工業(yè)標準的串行外設接口（SPI）總線(xiàn)可以訪(fǎng)問(wèn)該存儲器陣列。FRAM 的功能操作與單線(xiàn)SPI EEPROM或單線(xiàn)/雙線(xiàn)/四線(xiàn)SPI閃存的功能操作相同。CY15B104QSN與具有相同引腳分布的串行閃存之間的主要區別在于FRAM具有更好的寫(xiě)性能、高的耐久性和較低的功耗。 |
