ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2020-12-24 15:56    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: MOSFET , P溝道
~24款適用于工業(yè)設備及大型消費電子設備的-40V和-60V耐壓產(chǎn)品全新上線(xiàn)~

ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET產(chǎn)品,其中包括支持24V輸入電壓的-40V和-60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。



本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jì)的Pch MOSFET產(chǎn)品,采用了第五代新微米工藝,實(shí)現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻。-40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低62%、-60V耐壓產(chǎn)的導通電阻較以往產(chǎn)品降低52%,有助于實(shí)現設備的節能性和小型化。

此外,通過(guò)優(yōu)化元件結構并采用有利于改善電場(chǎng)集中問(wèn)題的新設計,進(jìn)一步提高了產(chǎn)品品質(zhì),并使普遍認為相互矛盾的產(chǎn)品可靠性和低導通電阻兩者同時(shí)得到兼顧,從而有助于追求高品質(zhì)的工業(yè)設備長(cháng)期穩定運行。

本系列產(chǎn)品已于2020年8月份開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格 200日元/個(gè),不含稅),產(chǎn)品可通過(guò)AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC網(wǎng)售平臺購買(mǎi)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠(chǎng)),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。

未來(lái),ROHM將持續擴充封裝陣容,以支持更廣泛的應用。同時(shí),還計劃推進(jìn)車(chē)載級產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。除此以外,隨著(zhù)人們利用網(wǎng)絡(luò )的“云端”工作模式和生活模式的快速發(fā)展,需要進(jìn)一步豐富適用于需求日益擴大的數據中心服務(wù)器以及5G基站的產(chǎn)品陣容。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基礎上,還將持續推進(jìn)更高效率的Nch MOSFET開(kāi)發(fā)工作,為減少應用產(chǎn)品的設計工時(shí)并提高可靠性和效率做出貢獻。

近年來(lái),在工業(yè)設備和消費電子設備等領(lǐng)域,采用高輸入電壓的電源電路來(lái)實(shí)現高級控制的客戶(hù)越來(lái)越多,對于MOSFET產(chǎn)品,除了低導通電阻的要求之外,也表現出對高耐壓性能與日俱增的需求。

MOSFET產(chǎn)品分為Nch與Pch兩種,而高效率的Nch應用更為普遍,但在高邊使用Nch MOSFET時(shí),需要柵極電壓高于輸入電壓,因此就存在電路結構變得更復雜的問(wèn)題。而使用Pch MOSFET則可以用低于輸入電壓的柵極電壓進(jìn)行驅動(dòng),因此可簡(jiǎn)化電路結構,同時(shí)還有助于減輕設計負擔。

在這種背景下,ROHM采用第五代微米工藝,成功開(kāi)發(fā)出可支持24V輸入、-40V/-60V耐壓的低導通電阻Pch MOSFET。



<新產(chǎn)品特點(diǎn)>

1.實(shí)現業(yè)界超低導通電阻
新產(chǎn)品采用ROHM第五代微米工藝技術(shù),使柵極溝槽結構較ROHM以往產(chǎn)品更為細致精密,并提高了電流密度,從而在支持24V輸入的-40V/-60V耐壓Pch MOSFET領(lǐng)域中,實(shí)現了極為出色的單位面積低導通電阻。-40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低62%,-60V耐壓產(chǎn)品的導通電阻較以往產(chǎn)品降低52%,非常有助于應用設備的節能性與小型化。

2.采用新設計,品質(zhì)顯著(zhù)提升
新產(chǎn)品充分運用了迄今為止積累的可靠性相關(guān)的技術(shù)經(jīng)驗和訣竅,優(yōu)化了元件結構,同時(shí)采用新設計,改善了最容易產(chǎn)生電場(chǎng)集中問(wèn)題的柵極溝槽部分的電場(chǎng)分布,實(shí)現了品質(zhì)的大幅度提升。在不犧牲導通電阻的前提下,又成功提高了原本與之存在此起彼消關(guān)系的可靠性,從而可改善在高溫偏壓狀態(tài)下的元件特性劣化問(wèn)題,有助于追求更高品質(zhì)的工業(yè)設備實(shí)現長(cháng)期穩定運行。

3.豐富的產(chǎn)品陣容,有助于減少眾多應用產(chǎn)品的設計工時(shí)并提高可靠性
此次推出的新產(chǎn)品包括-40V和-60V耐壓的共24款產(chǎn)品,適用于FA設備、機器人以及空調設備等應用。未來(lái)將繼續擴展更豐富的封裝陣容,以支持工業(yè)設備領(lǐng)域之外的更廣泛應用,同時(shí)還計劃開(kāi)發(fā)車(chē)載級產(chǎn)品。此外,采用新結構的新一代工藝不僅應用在Pch MOSFET產(chǎn)品上,還會(huì )應用在Nch MOSFET產(chǎn)品上并擴大其產(chǎn)品陣容,為更多的應用產(chǎn)品減少設計工時(shí)和提高可靠性貢獻力量。

<產(chǎn)品陣容>





<應用示例>
■FA設備、機器人、空調設備等工業(yè)設備用風(fēng)扇電機和電源管理開(kāi)關(guān)
■大型消費電子設備用風(fēng)扇電機和電源管理開(kāi)關(guān)



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