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MR4A16B是一個(gè)16,777,216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1,048,576個(gè)16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路會(huì )在掉電時(shí)自動(dòng)保護數據，以防止電壓超出規格的寫(xiě)入。為了簡(jiǎn)化容錯設計，MR4A16B包含內部單個(gè)糾錯碼，每64個(gè)數據位具有7個(gè)ECC奇偶校驗位。對于必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用，MR4A16B是理想的存儲器解決方案。 MR4A16B提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型薄型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類(lèi)似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR4A16B在很寬的溫度范圍內提供了高度可靠的數據存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項。最新的Everspin產(chǎn)品信息及選購，請接洽代理宇芯電子銷(xiāo)售。 MR4A16B 1M x 16 MRAM •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫(xiě)周期 •SRAM兼容時(shí)序 •無(wú)限的讀寫(xiě)耐久性 •溫度下，數據始終保持非易失性超過(guò)20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度標準 •一個(gè)存儲器取代了系統中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，從而實(shí)現了更簡(jiǎn)單，更高效的設計 •通過(guò)更換電池供電的SRAM來(lái)提高可靠性 關(guān)于Everspin Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關(guān)應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項有效專(zhuān)利和申請的知識產(chǎn)權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。在包括40nm，28nm以及更高技術(shù)節點(diǎn)在內的先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。此外，Everspin在亞利桑那州錢(qián)德勒擁有并運營(yíng)一條集成的磁性生產(chǎn)線(xiàn)，Everspin在此生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。 MR4A16B型號表
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