德州儀器 (TI) 面向高電流 DC/DC應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET功率MOSFET有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。
該系列包含的5款NexFET器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個(gè)人計算機、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò )設備、基站以及高電流工業(yè)系統等。 DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢： • 作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個(gè) MOSFET 即可滿(mǎn)足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開(kāi)關(guān)需求； • 增強型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%； • 高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過(guò) FET 的電流提高 50%，設計人員無(wú)需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動(dòng)的處理器； • 業(yè)界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡(jiǎn)化設計、降低成本，與使用兩個(gè)標準5x6封裝相比，可節省 30mm2的空間。 供貨情況 DualCool NexFET 器件現已開(kāi)始批量供貨。此外，還提供樣片與應用手冊。 通過(guò)以下鏈接查閱有關(guān) TI NexFET MOSFET 與其它功率產(chǎn)品的更多信息： • 訂購 NexFET 評估板與樣片：www.ti.com.cn/mosfet-dcprcn ； • DualCool NexFET 功率 MOSFET 的視頻演示：www.ti.com.cn/dualcool-prvcn ； • 了解針對 NexFET 技術(shù)而優(yōu)化的 DC-DC 控制器：www.ti.com.cn/tps40303-prcn 、www.ti.com.cn/tps40304-prcn 、www.ti.com.cn/tps40305-prcn ； |
