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新能源汽車(chē)的核心技術(shù)，是大家所熟知的動(dòng)力電池，電池管理系統和整車(chē)控制單元。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無(wú)論是BMS，還是VCU，這些系統都需要實(shí)時(shí)和連續地對當前狀態(tài)信息進(jìn)行監控，記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計。只有非易失性・高速・高讀寫(xiě)耐久性的車(chē)規級的存儲器FRAM才可以滿(mǎn)足所要求的可靠性和無(wú)遲延的要求。 FRAM在電池管理系統BMS應用 高燒寫(xiě)耐久性，高速寫(xiě)入操作： •系統每0.1或1秒，實(shí)時(shí)和連續地存儲重要數據（故障信息,SOH和SOC等）。 •系統需要監控短期（最后幾個(gè)充電周期，60次/秒）和長(cháng)期（整個(gè)電池壽命）電池性能。 FRAM在整車(chē)控制單元VCU中的應用 高燒寫(xiě)耐久性，高速寫(xiě)入操作： 系統需要以每秒一次的頻率去實(shí)時(shí)記錄汽車(chē)行駛的當前狀態(tài)和發(fā)生故障時(shí)的變速器擋位，加速狀況，剎車(chē)和輸出扭矩等信息。 FRAM在T(Telematics）-BOX中的應用 高讀寫(xiě)耐久性，高速寫(xiě)入操作： •系統需要1次/0.2秒的速度，連續記錄CAN通信數據。 •系統需要1次/秒的速度，連續地記錄位置數據。 •系統要求記錄在發(fā)生事故前的10秒內，每秒的行駛數據（剎車(chē)，發(fā)動(dòng)機轉速等）。 上述數據1次/10秒的頻率轉送到從FRAM轉送到Flash里。 富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起，在各種應用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
