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FLASH閃存是一種非易失性?xún)却�，閃存在沒(méi)有電流供應的條件下也能夠長(cháng)久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤(pán)，這項特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數字設備的存儲介質(zhì)的基礎。Flash存儲器結合了ROM和RAM的長(cháng)處且具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì )因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點(diǎn)。Flash總類(lèi)可謂繁多且功能各異，而你對它了解有多少呢？本篇文章存儲芯片供應商英尚微電子帶大家一起來(lái)看看。 SPI NOR FLASH SPI Nor Flash，采用的是SPI 通信協(xié)議，有4線(xiàn)(時(shí)鐘，兩個(gè)數據線(xiàn)，片選線(xiàn))或者3線(xiàn)(時(shí)鐘，兩個(gè)數據線(xiàn))通信接口，由于它有兩個(gè)數據線(xiàn)能實(shí)現全雙工通信，因此比IIC通信協(xié)議的IIC EEPROM的讀寫(xiě)速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技術(shù)Flash Memory的特點(diǎn)，即程序和數據可存放在同一芯片上，擁有獨立的數據總線(xiàn)和地址總線(xiàn)，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行；可以單字節或單字編程，但不能單字節擦除，必須以Sector為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進(jìn)行重新編程之前需要對Sector或整片進(jìn)行預編程和擦除操作。 Nor Flash在擦寫(xiě)次數上遠遠達不到IIC EEPROM，并且由于NOR技術(shù)Flash Memory的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時(shí)間會(huì )很長(cháng);但SPI Nor Flash接口簡(jiǎn)單，使用的引腳少易于連接且操作方便，并且可以在芯片上直接運行代碼，其穩定性出色，傳輸速率高，在小容量時(shí)具有很高的性?xún)r(jià)比，這使其很適合應于嵌入式系統中作為 FLASH ROM，所以在市場(chǎng)的占用率非常高。 Parallel Nor Falsh Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信協(xié)議，擁有獨立的數據線(xiàn)和地址總線(xiàn)，它同樣繼承了NOR技術(shù)Flash Memory的所有特點(diǎn);由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相對于SPI Nor Flash,支持的容量更大，讀寫(xiě)的速度更快，但是由于占用的地址線(xiàn)和數據線(xiàn)太多，在電路電子設計上會(huì )占用很多資源。Parallel Nor Falsh讀寫(xiě)時(shí)序類(lèi)似于SRAM，只是寫(xiě)的次數較少，速度也慢，由于其讀時(shí)序類(lèi)似于SRAM，讀地址也是線(xiàn)性結構，所以多用于不需要經(jīng)常更改程序代碼的數據存儲。 Parallel Nand Flash Parallel Nand Flash同樣采用了Parallel接口通信協(xié)議，Nand Flash在工藝制程方面分有三種類(lèi)型：SLC、MLC、TLC。Nand Flash技術(shù)Flash Memory具有以下特點(diǎn)：以頁(yè)為單位進(jìn)行讀和編程操作，以塊為單位進(jìn)行擦除操作;具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時(shí)間是2ms，而NOR技術(shù)的塊擦除時(shí)間達到幾百ms;芯片尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態(tài)存儲器;芯片包含有壞塊，其數目取決于存儲器密度。壞塊不會(huì )影響有效塊的性能，但設計者需要有一套的壞塊管理策略! 對比Parallel Nor Falsh，Nand Flash在擦除和讀寫(xiě)方面的速度快，使用擦寫(xiě)次數更多，并且它強調更高的性能和更低的成本，更小的體積，更大的容量，更長(cháng)的使用壽命。這使Nand Flash很擅于存儲純資料或數據等，在嵌入式系統中用來(lái)支持文件系統。其主要用來(lái)數據存儲，大部分的U盤(pán)都是使用Nand Flash，當前NandFlash在嵌入式產(chǎn)品中應用仍然極為廣泛，因此壞塊管理、掉電保護等措施就需要依賴(lài)NandFlash使用廠(chǎng)家通軟件進(jìn)行完善。 SPI Nand Flash SPI Nand Flash，采用了SPI Nor Flash一樣的SPI的通信協(xié)議，在讀寫(xiě)的速度上沒(méi)什么區別，但在存儲結構上卻采用了與Parallel Nand Flash相同的結構，所以SPI nand相對于SPI Nor Flash具有擦寫(xiě)的次數多，擦寫(xiě)速度快的優(yōu)勢，但是在使用以及使用過(guò)程中會(huì )同樣跟Parallel Nand Flash一樣會(huì )出現壞塊，因此也需要做特殊壞塊處理才能使用; SPI Nand Flash相對比Parallel Nand Flash還有一個(gè)重要的特點(diǎn)，那就是芯片自己有內部ECC糾錯模塊，用戶(hù)無(wú)需再使用ECC算法計算糾錯，用戶(hù)可以在系統應用當中可以簡(jiǎn)化代碼簡(jiǎn)單操作。 FLASH因功能不同，使用的領(lǐng)域也各異，它在電子市場(chǎng)上應用極為廣泛，需求量極大，每日的需求量可達百萬(wàn)的數量級，英尚微電子存儲芯片供應商可提供樣品及技術(shù)方面支持。 |
