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Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來(lái)的一家半導體科技公司，以領(lǐng)導非易失性MRAM存儲芯片為公司主導致力于非易失性存儲芯片的發(fā)展，是全球唯一一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)銷(xiāo)售磁性隨機存取內存(MRAM)，目前該產(chǎn)品已經(jīng)應用于多個(gè)行業(yè)，如人工智能，金融數據等。 Everspin一款串口mram芯片，型號為MR25H10CDF，工作溫度范圍：-40℃to+85℃，是一款工業(yè)級別的存儲芯片，可用于工控設備的應用，特別是對溫度有嚴格要求的應用，存儲容量1Mb（128Kx8），數據位寬8位。 MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)定時(shí)，沒(méi)有寫(xiě)入延遲和無(wú)限讀/寫(xiě)耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫(xiě)入都可以在內存中隨機發(fā)生，寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。MR25H10是用于使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用的理想內存解決方案。封裝采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。兩與串行EEPROM，FLASH和FERAM產(chǎn)品兼容。 MR25H10CDF在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍選項。 MR25H10CDF特點(diǎn) •沒(méi)有寫(xiě)延遲 •無(wú)限制寫(xiě)耐力 •數據保留超過(guò)20年 •電源損耗的自動(dòng)數據保護 •塊寫(xiě)保護 •快速，簡(jiǎn)單的SPI接口，最高速度為40MHz時(shí)鐘速率 •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)溫度 •提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封裝 •直接更換串行EEPROM，Flash，Feram •AEC-Q100等級1選項 MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲信息的存儲技術(shù)。everspin MRAM 具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時(shí)具有非易失性和節能性。MRAM 可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車(chē)、工業(yè)、軍事和太空應用。 MR25H10CDF 規格書(shū)下載 
MR25H10.pdf
(2.02 MB)
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