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宜普電源轉換公司(www.EPC-co.com)宣布推出第二代增強性能氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例要求。 EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件，當柵極電壓為5V 時(shí)，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比，新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優(yōu)勢，其最大結溫額定值提高至150℃，其性能在更低柵極電壓時(shí)也得到全面增強。 與具有相同導通電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開(kāi)關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點(diǎn)轉換器、D類(lèi)音頻放大器、硬開(kāi)關(guān)和高頻電路。 “除了性能方面增強了，新一代增強型氮化鎵場(chǎng)效應晶體管-EPC2014是不含鉛、無(wú)鹵化物及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例的要求�！惫餐瑒�(chuàng )始人兼首席執行官Alex Lidow表示。 
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