Qorvo推出新一代1200V碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線(xiàn)結構，這種結構常見(jiàn)于電動(dòng)車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽(yáng)能逆變器、焊機、不間斷電源和感應加熱應用。
UnitedSiC（即Qorvo）功率器件總工程師Anup Bhalla稱(chēng)：“性能較高的第四代產(chǎn)品擴充了我們的1200V產(chǎn)品系列，讓我們能更好地服務(wù)于將總線(xiàn)設計電壓提高到800V的工程師。在電動(dòng)車(chē)中，這種電壓升高不可避免，而這些新器件有四個(gè)不同RDS(on)等級，有助于設計師們?yōu)槊總�(gè)設計選擇最適合的SiC產(chǎn)品�！� 新UF4C/SC系列的亮點(diǎn)就在于下表中出色的SiC FET性能表征：
所有RDS(on)產(chǎn)品（23、30、53和70毫歐）都采用行業(yè)標準4引腳開(kāi)爾文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更清潔的開(kāi)關(guān)。53和70毫歐器件還采用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當的熱性能基礎上實(shí)現了出色的可靠性，這種熱性能是先進(jìn)的銀燒結晶粒連接方式和先進(jìn)的晶圓減薄工藝帶來(lái)的結果。 FET-Jet CalculatorTM是一種免費的在線(xiàn)設計工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉換器拓撲中所用器件的能效、組件損耗和結溫上升。它可以在用戶(hù)指定的散熱條件下比較單個(gè)器件和并聯(lián)的器件，從而得到最優(yōu)解決方案。 新1200V第四代SiC FET的定價(jià)（1000件起，FOB USA）從$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授權經(jīng)銷(xiāo)商銷(xiāo)售。 Qorvo的碳化硅和功率管理產(chǎn)品可以為多種工業(yè)、商業(yè)和消費品應用提供充電、供電和控制功能。 |
