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Qorvo推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。 UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)更高性能的第四代器件擴充了 1200V 產(chǎn)品系列，為工程師將總線(xiàn)設計電壓提高到 800V 提供了有力支持。在電動(dòng)汽車(chē)中，這種電壓升高無(wú)法避免；這些新器件支持四種不同的 RDS(on)（漏源導通電阻）等級，有助于設計師為每項設計選擇合適的 SiC 器件�！� 以下 SiC FET 出色的品質(zhì)因數展現了全新 UF4C/SC 系列的性能優(yōu)勢：
所有 RDS (on) 選項（23、30、53 和 70 毫歐）都采用行業(yè)標準的 4 引腳開(kāi)爾文源極 TO-247 封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開(kāi)關(guān)。53 和 70 毫歐的器件也可采用 TO-247 三引腳封裝。該系列器件采用先進(jìn)的銀燒結芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過(guò)良好的熱性能管理實(shí)現了出色的可靠性。 此外， FET-Jet Calculator™ 免費在線(xiàn)設計工具支持所有 1200V SiC FET；可以即時(shí)評估在各種 AC/DC 和隔離式/非隔離 DC/DC 轉換器拓撲結構中所用器件的效率、組件損耗和結溫上升指標。 它可以在用戶(hù)指定的散熱條件下比較單個(gè)和并聯(lián)器件，以獲取優(yōu)化解決方案。 全新 1200V 第四代 SiC FET 售價(jià)（1000 件起，美國離岸價(jià)）為 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 到 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 。 所有器件均通過(guò)授權經(jīng)銷(xiāo)商銷(xiāo)售。 Qorvo 的碳化硅和電源管理產(chǎn)品面向工業(yè)、商業(yè)和消費電子領(lǐng)域的充電、驅動(dòng)和控制應用。 |
