仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析

發(fā)布時(shí)間:2021-8-17 15:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: IPOSIM , IGBT
作者:英飛凌科技大中華區應用工程師 張浩

如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛凌官網(wǎng)在線(xiàn)仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
•        IPOSIM中Rthha定義:折算到每個(gè)Switch(開(kāi)關(guān))的散熱器熱阻
•        折算思路:對于常規模塊,先確定散熱器的總熱阻,再根據散熱器包含的Switch數量,折算出熱阻Rthha。對于PIM模塊,其散熱器熱阻需要額外計算。

一、 兩電平仿真中的Rthha的定義與設置

在兩電平逆變拓撲中,每個(gè)Switch基本單元為:T1+D1



兩電平舉例說(shuō)明:3XFF600R12KE4 per Inverter


(FF600R12KE4)

62mm封裝的半橋模塊如上,三個(gè)半橋模塊置于散熱器,組成完整的三相逆變拓撲。假設每個(gè)模塊200W損耗,散熱器的溫升30℃,則散熱器總熱阻為30℃/(200W*3)=0.05K/W。

散熱器總共包含了6個(gè)Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.05*6=0.30K/W。

二、 三電平仿真中的Rthha的定義與設置

三電平的拓撲相對復雜一些,以常見(jiàn)的三種拓撲N(xiāo)PC1、NPC2和ANPC為例,分別進(jìn)行說(shuō)明:


在NPC1拓撲中,每個(gè)Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2+D5


在NPC2拓撲中,每個(gè)Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2


在A(yíng)NPC拓撲中,每個(gè)Switch基本單元為:T1+D1+T2+D2+T5+D5

三電平NPC1舉例說(shuō)明:

3XF3L150R07W2E3_B11 per Inverter
                 

(F3L150R07W2E3_B11)

在中小功率的三電平應用里,1個(gè)模塊就能裝下三電平的1個(gè)甚至3個(gè)橋臂。如Easy2B封裝的三電平模塊F3L150R07W2E3_B11,模塊內為1個(gè)NPC1橋臂,3個(gè)模塊置于散熱器上,組成完整的三電平的三相逆變拓撲。假設每個(gè)Easy2B模塊損耗200W, 散熱器的溫升30℃,則散熱器總熱阻為:30℃/(200W*3)=0.05K/W。

散熱器總共包含了6個(gè)Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.05*6=0.30K/W。

三電平ANPC舉例說(shuō)明:

3XFF600R12ME4_B72 per phase


(FF600R12ME4_B72)

在大功率的三電平應用里,往往需要多個(gè)模塊才能組成1個(gè)三電平橋臂,如EconoDual3™封裝的半橋模塊FF600R12ME4_B72,3個(gè)模塊組成1個(gè)ANPC或NPC1的橋臂,同樣3個(gè)模塊置于散熱器上,只是三電平拓撲的某一相。假設3個(gè)模塊損耗一共1200W,散熱器溫升50℃,則散熱器總熱阻為50℃/1200W=0.042K/W。
散熱器只包含了2個(gè)Switch基本單元,因此IPOSIM中Rthha為:0.042*2=0.084K/W。

三、 變頻器PIM模塊仿真中的Rthha的定義與設置

在中小功率的變頻器應用里,常常會(huì )用到PIM模塊(包含整流、制動(dòng)和逆變),如英飛凌最新IGBT7系列EasyPIM模塊FP25R12W2T7_B11。



如下圖所示,是基于有限元熱仿真的散熱器表面溫度分布:環(huán)境溫度50℃,散熱器表面最高溫度82.3℃,其中每個(gè)整流二極管RD的損耗為3W,每個(gè)IGBT的損耗為10W,每個(gè)FWD的損耗為4W。



考慮到模塊內整流部分和逆變部分的相互影響,我們可分別計算逆變(Inv)和整流(Rec)部分的Switch對應的散熱器熱阻Rthha,其中:
PIM模塊逆變部分的散熱器熱阻Rthha(Inv)=(82.3℃-50℃)/(10W+4W)=2.30K/W

PS:如果按散熱器總熱阻X6去折算逆變部分的熱阻,會(huì )存在低估的情況:

散熱器總熱阻=(82.3℃-50℃)/(6*10W+6*4W+6*3W)=0.317K/W,

即0.317*6=1.90K/W,

比上述的熱阻值2.30K/W偏低約18%。

散熱器(總)熱阻在不同工況下的變化

散熱器的熱阻并非定值,而是會(huì )隨熱源的分布變化而變化。

在一些大功率三電平的應用場(chǎng)合,一方面,各個(gè)模塊之間的損耗不同;同時(shí),模塊間損耗差異還會(huì )隨著(zhù)工況不同而變化,因此,需要格外關(guān)注此時(shí)散熱器總熱阻的變化情況。如下,分別以常見(jiàn)白模塊和黑模塊三電平NPC1拓撲為例,進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析。

案例一

基于EconoDual™3白模塊NPC1三電平,在某種水冷條件下,不同工況時(shí)的散熱器總熱阻:





案例二

基于PrimePACK™3黑模塊NPC1三電平,在某種水冷條件下,不同工況時(shí)的散熱器總熱阻:





因此,需考慮最?lèi)毫庸r下的熱阻,或者在不同工況仿真時(shí),采取不同的散熱器熱阻應對,以獲得更準確的仿真結果。

綜上所述,文章總結了在IPOSIM中Rthha參數,在兩電平和三電平應用中的定義與設置,以及一些常見(jiàn)的問(wèn)題,期望對大家如何正確選取Rthha進(jìn)行準確的IPOSIM仿真有所幫助。

紙上得來(lái)終覺(jué)淺,絕知此事要躬行。

趕緊打開(kāi)IPOSIM試試吧。
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