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來(lái)源：驅動(dòng)之家 三星半導體宣布，通過(guò)結構創(chuàng )新，實(shí)現了基于MRAM(磁阻隨機存取存儲器)的內存內計算(In-Memory Computing)，進(jìn)一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技術(shù)的前沿領(lǐng)域。 在傳統的計算體系中，內存中的數據要轉移到處理芯片的數據計算單元中進(jìn)行處理，對于帶寬、時(shí)延要求非常高。 內存內計算則是一種新的計算模式，也可以叫做“存算一體化”，在內存中同時(shí)執行數據存儲、數據計算處理，無(wú)需往復移動(dòng)數據。 同時(shí)，內存網(wǎng)絡(luò )中的數據處理是以高度并行的方式執行，因此提高性能的同時(shí)，還能大大降低功耗。 對比其他存儲器，MRAM磁阻內存在運行速度、壽命、量產(chǎn)方面都有明顯優(yōu)勢，功耗也遠低于傳統DRAM，關(guān)鍵是還具有非易失的特點(diǎn)，即斷電不會(huì )丟失數據。 不過(guò)一直以來(lái)，MRAM磁阻內存很難用于內存內計算，因為它在標準的內存內計算架構中無(wú)法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢。 三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”(resistance sum)的新型內存內計算架構，取代標準的“電流總和”(current-sum)架構，成功開(kāi)發(fā)了一種能演示內存內計算架構的MRAM陣列芯片，命名為“用于內存內計算的磁阻內存交叉陣列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。 這一陣列成功解決了單個(gè)MRAM器件的小電阻問(wèn)題，從而降低功耗，實(shí)現了基于MRAM的內存內計算。 按照三星的說(shuō)法，在執行AI計算時(shí)，MRAM內存內計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別準確率。 |
