英飛凌科技股份公司推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專(zhuān)門(mén)針對分立式汽車(chē)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車(chē)規級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。得益于其出色的品質(zhì)，EDT2 IGBT符合并超越了車(chē)規級半導體分立器件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性。該 IGBT采用汽車(chē)級微溝槽場(chǎng)中止單元設計，所用技術(shù)已成功應用于EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆變器模塊。
為了滿(mǎn)足目標應用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產(chǎn)品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利于進(jìn)行系統設計。同時(shí)，EDT2技術(shù)專(zhuān)門(mén)針對牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，擊穿電壓為750 V，可支持高達470 VDC的電池電壓，并顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)和導通損耗。 分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時(shí)，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號均具有極低的正向電壓，相比上一代產(chǎn)品，導通損耗降低了13%。其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在采用TO247Plus封裝的分立式IGBT產(chǎn)品中堪稱(chēng)出類(lèi)拔萃。因此，僅需少量的并聯(lián)器件，便可實(shí)現既定的目標功率等級，同時(shí)還可提高功率密度，降低系統成本。 此外，EDT2 IGBT的參數分布非常緊湊。集電極-發(fā)射極飽和電壓（Vce(sat)）的典型值與最大值之間相差不足200 mV，柵極閾值電壓（VGEth）也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度系數�？傊�，這些特性有助于輕松實(shí)現并聯(lián)運行，從而提高最終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外，這款I(lǐng)GBT器件還擁有平穩的開(kāi)關(guān)特性、低柵極電荷（QG）和175°C的最高結溫溫度（Tvjop）等優(yōu)點(diǎn)。 供貨情況 英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號，現已開(kāi)始供貨。如需了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2。 了解英飛凌為提升能源效率所做出的貢獻，請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/green-energy。 |
