低導通損耗200/250V MOSFET (英飛凌)

發(fā)布時(shí)間:2010-1-25 20:20    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: MOSFET , 損耗 , 英飛凌
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件,進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動(dòng)。憑借同類(lèi)器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(FOM),OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統設計的導通損耗降低一半。

對于應用二極管整流的48V開(kāi)關(guān)電源而言,工程師們現在有了全新的選擇,從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn),從功率損耗的角度看,也就是發(fā)熱量降低了30%,這滿(mǎn)足了電信市場(chǎng)對更高能源效率的需求。

據稱(chēng),相對于其他同類(lèi)產(chǎn)品,OptiMOS 200V和250V系列器件的通態(tài)電阻RDS(on)降低了50%,使大電流應用能夠實(shí)現最低的導通損耗。另外,業(yè)界最低的柵極電荷Qg (比同類(lèi)產(chǎn)品低35%)有助于實(shí)現最低開(kāi)關(guān)損耗和高速開(kāi)關(guān)。實(shí)際應用比如通信電源的DC/DC變換。此外,該OptiMOS 200/250V 可以減少并聯(lián)器件的數目,從而降低系統成本。同時(shí),由于具備較低的通態(tài)電阻,可確保使用較小尺寸的散熱器;而優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性,可確保實(shí)現簡(jiǎn)化的快速設計流程。

OptiMOS 200V和250V系列具備出色的特性,可使以往需要較大D2PAK封裝(9mmx10mmx4.5mm)的應用轉換到使用纖薄的SuperSO8封裝(5mmx6mmx1mm)上來(lái)。因此,功率半導體器件占板空間可以降低90%以上。也就是說(shuō),系統的功率密度得以大幅度提高。此外,采用SuperSO8等無(wú)引腳封裝,還可實(shí)現理想的開(kāi)關(guān)特性,更高的效率以及 EMI水平。



上市時(shí)間和定價(jià)

OptiMOS 200V和250V系列器件現已上市,包括通態(tài)電阻(25度下最大值)分別為10.7mΩ、20 mΩ、32 mΩ和60 mΩ的TO-220、TO-262、D2PAK和SuperSO8等封裝形式。對于訂貨量為1萬(wàn)片的小批量訂貨,200V器件和250V器件的起價(jià)分別為1.2美元和1.4美元。
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