|
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。MRAM具有接近零的靜態(tài)功耗，較高的讀寫(xiě)速度，與互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)，在車(chē)用電子與穿戴設備等領(lǐng)域已實(shí)現商業(yè)化應用，被認為是最有希望的下一代存儲器之一。 MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻隨機存取存儲器MRAM芯片，位寬2Mx8位字。提供與SRAM兼容的35ns的快速讀/寫(xiě)周期，具有無(wú)限讀寫(xiě)耐力，數據在超過(guò)20年的時(shí)間里始終是非易失性的。數據通過(guò)低壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護，以防止電壓超出規格的寫(xiě)入。是必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數據和程序的應用的理想內存解決方案。 MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封裝。封裝兼容與類(lèi)似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性ram產(chǎn)品。通過(guò)更換電池供電的SRAM提高可靠性，實(shí)現更簡(jiǎn)單、更高效的設計。在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。更多產(chǎn)品相關(guān)信息Everspin代理請洽英尚微。 |
