ASML拼命研制的新款高NA EUV光刻機:或是最后一代

發(fā)布時(shí)間:2022-9-23 15:46    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ASML , EUV , 光刻機
來(lái)源:半導體行業(yè)觀(guān)察

ASML一直處于高度戒備狀態(tài)。

去年,該公司兩次提高了生產(chǎn)目標:它希望到 2025 年出貨約 600 臺 DUV 和 90 臺 EUV 光刻機,而去年分別為不到 200 臺和 35 臺。

ASML很典型的一周是,數百人在 Veldhoven 開(kāi)始他們的新工作。由于持續的芯片短缺,交付問(wèn)題每天都在發(fā)生。更不用說(shuō)像今年年初柏林工廠(chǎng)發(fā)生火災這樣的挫折,導致 EUV 晶圓夾具的生產(chǎn)暫時(shí)癱瘓。

盡管如此,Martin van den Brink(編者注:ASML首席技術(shù)官)還是很滿(mǎn)足和放松的。EUV 光刻機的生產(chǎn)力還沒(méi)有達到客戶(hù)的預期,但幾年來(lái),EUV 光刻機已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過(guò)程中不可或缺的一部分。

“經(jīng)過(guò)比計劃多十年的努力,這讓我松了一口氣!盡artin van den Brink說(shuō)。

最新一代的 EUV 設備——High NA 系統的開(kāi)發(fā)也進(jìn)展順利!敖裉煜挛缥覅⒂^(guān)了工廠(chǎng)車(chē)間。那臺機器是我職業(yè)生涯中的一個(gè)亮點(diǎn),”van den Brink在他的辦公室里說(shuō)道,其中展出了一系列平版印刷制品。

根據 ASML 的路線(xiàn)圖,世界上第一臺High-NA 光刻機的交付日期是明年某個(gè)時(shí)候,Van den Brink 認為這個(gè)目標將會(huì )實(shí)現,盡管供應鏈問(wèn)題仍可能會(huì )打亂時(shí)間。

事實(shí)證明,van den Brink甚至或多或少地規劃了未來(lái)十年的技術(shù)路線(xiàn)。這可能是他對 ASML 的最后一次戰略貢獻,因為這位與公司并肩作戰多年的高管預計將于 2024 年退休。

無(wú)論如何,現在van den Brink的任何事情似乎都是可以管理的——幾乎一切照舊,對于一家組裝世界上最復雜的生產(chǎn)機器的公司來(lái)說(shuō),這是可能的。唯一似乎困擾van den Brink的是他的辦公椅!翱纯催@個(gè)爛東西。它有太多的調整選項,”他坐下時(shí)抱怨道,示范性地搖晃著(zhù)扶手。

微不足道

五年前van den Brink與他的來(lái)訪(fǎng)者交談時(shí),他的心情同樣好。在仍然需要所有人齊心協(xié)力才能讓 EUV 走上正軌的時(shí)候,他已經(jīng)推進(jìn)了他的High-NA 計劃。ASML 的管理和監事會(huì )支持所需的十億美元投資,關(guān)鍵光學(xué)合作伙伴蔡司也加入了進(jìn)來(lái)!八麄円婚_(kāi)始并不想,”Van den Brink 承認。

“當時(shí),我認為High NA 將是 EUV 的最后一個(gè) NA。但存在相當大的風(fēng)險,因為它來(lái)得太晚,沒(méi)有足夠的時(shí)間周期來(lái)收回投資。我覺(jué)得在我們明確 EUV 之前,我們不能推遲高數值孔徑的開(kāi)發(fā)!

“光刻技術(shù)的過(guò)渡期非常糟糕。如果你搞砸了,事情就會(huì )變得混亂。尤其是現在這個(gè)組織已經(jīng)變得這么大,我感到責任重大。我非常偏執。我們有一個(gè)成功的提議嗎?我們能搞定這件事嗎?” Van den Brink 最終確信高數值孔徑是正確的前進(jìn)方向,并贏(yíng)得了懷疑論者的支持。

但他忽略了一件事!霸谖业陌谅,我認為客戶(hù)們會(huì )排隊,但這確實(shí)不容易!

2018 年 4 月左右,一切就緒。EUV 在大批量生產(chǎn)中蓄勢待發(fā),不久之后,第一批High NA 系統訂單接踵而至。從那時(shí)起,另一個(gè)過(guò)渡期的準備工作總體上相當順利。這位首席技術(shù)官透露,這比以前的任何光刻轉換都“容易得多”。

“為什么?首先,我們現在對 EUV 光子的作用有了很好的了解。今天,我們仍然在短波系統的穩定性方面存在問(wèn)題,并且生產(chǎn)力沒(méi)有達到標準。但我們需要理解和清理的主要物理問(wèn)題——基本上已經(jīng)被我們拋在腦后了!

此外,在任何光刻轉換中,ASML 都需要依賴(lài)外部的創(chuàng )新!肮饪棠z發(fā)生變化,掩模發(fā)生變化,你會(huì )得到新類(lèi)型的缺陷。這些東西都會(huì )影響基礎設施。對于High NA,基礎設施的變化相對來(lái)說(shuō)微不足道。因此所涉及的風(fēng)險要低得多!

絕望

Van den Brink 表示,到目前為止,開(kāi)發(fā)High NA 技術(shù)的最大挑戰是為 EUV 光學(xué)器件構建計量工具。High NA 反射鏡的尺寸是其前身的兩倍,需要將其平整度控制在20 皮米內。這需要在一個(gè)“可以容納半個(gè)公司”的真空容器中進(jìn)行驗證。

“構建這個(gè)工具的問(wèn)題是你不能確定它是否足夠準確。你可以做各種各樣的測試來(lái)提供一些保證,但你永遠不能完全確定。這就是我們現在所處的階段。我們認為它有效,但要等到明年我們拿到第一支鏡頭,真相才會(huì )浮出水面!

如果鏡頭不符合規格,我們將采取緊急程序!拔覀冇袀溆糜媱。如果它不起作用,我們有足夠的自由度來(lái)修復它。我們可以在一定范圍內重新拋光表面并在必要時(shí)更換單個(gè)鏡子! 一個(gè) EUV 鏡頭由幾個(gè)反射鏡組成——確切的數量是商業(yè)機密。

最后,van den Brink不想低估一個(gè)比典型公交巴士更大的系統的復雜性!斑@是一個(gè)怪物。過(guò)去,一臺光刻機需要幾百千瓦。

對于 EUV,它是 1.5 兆瓦(megawatts),主要是因為光源。我們?yōu)镠igh NA 使用相同的光源,但需要額外的 0.5 兆瓦。我們使用水冷銅線(xiàn)為其供電,并因此推動(dòng)了很多工程的進(jìn)步!

盡管如此,Van den Brink 并沒(méi)有看到任何阻礙,盡管供應鏈問(wèn)題使日程表變得模糊不清!皶r(shí)機有點(diǎn)問(wèn)題。High NA機器包含我們在生產(chǎn)系統中使用的相當多的組件,今天的meal優(yōu)先于明天的meal。就時(shí)間而言,這仍然是一個(gè)危機項目,但我相信到明年年底我們會(huì )走得很遠!

第一個(gè)系統將留在 Veldhoven,ASML 和 Imec 已經(jīng)在那里建立了一個(gè)聯(lián)合High NA 研究實(shí)驗室。我們計劃2024年讓客戶(hù)擁有自己的機器進(jìn)行研發(fā),次年將交付第一批大批量制造工具。

這將在很大程度上免除 ASML 的客戶(hù)因 EUV 開(kāi)發(fā)延遲而造成的困難時(shí)期。

“他們越來(lái)越絕望,就這么簡(jiǎn)單,”van den Brink在 2017 年表示,他指的是他的客戶(hù)宣布將 EUV 投入生產(chǎn)。必須使用兩個(gè)或更多 193 納米(浸沒(méi))曝光步驟進(jìn)行圖案化的芯片層數量越來(lái)越多,以至于半導體制造商繼續使用 EUV 光刻機,盡管它們當時(shí)其生產(chǎn)力并不高。

盡管在 EUV 中已經(jīng)使用了多重圖案——順便說(shuō)一句,并非出于光刻的需要——但在這種不舒服的情況出現之前,預計可生產(chǎn)的High NA 光刻機就會(huì )出現!翱蛻(hù)并不絕望。但是,公平地說(shuō),如果High NA 現在準備好了,他們就會(huì )使用它!

一切都值得

除了讓High NA EUV光刻機盡快推出,ASML 目前的首要任務(wù)是繼續降低 EUV 和High NA 圖案化的成本。Van den Brink 認為,這還需要十年的努力。

“只要性能還沒(méi)有達到 193 納米光刻的水平,就有很大的改進(jìn)空間。我們仍然可以在轉變獲得很多收益,例如,可能是兩倍。而且我們還沒(méi)有從光學(xué)中擠出每一納米的分辨率。使用 193 納米光刻機,由于照明系統的操作,我們處于極限。EUV 光刻機還沒(méi)有同樣的復雜程度!

ASML 還將繼續專(zhuān)注于整體光刻技術(shù)。這套計量和計算技術(shù)使芯片制造商能夠對其制造過(guò)程保持嚴格的控制。這降低了缺陷率,就像提高生產(chǎn)力一樣,降低了成本。

然而,半導體界迫切想知道的是,高數值孔徑是否會(huì )獲得繼任者。ASML 的技術(shù)副總裁 Jos Benschop 已在去年的 SPIE 高級光刻會(huì )議上透露,可能的替代方案,即降低波長(cháng)不是一種選擇。這與角度有關(guān):EUV 反射鏡反射光的效率很大程度上取決于入射角。波長(cháng)的降低會(huì )改變角度范圍,使得透鏡必須變得太大而無(wú)法補償。

這種現象也會(huì )隨著(zhù)鏡頭孔徑(numerical aperture,NA)的增加而出現。那么NA是否有可能再次增加?van den Brink證實(shí),ASML 正在研究此事。

但是,就個(gè)人而言,他不相信 hyper-NA 會(huì )被證明是可行的!拔覀冋谘芯克,但這并不意味著(zhù)它會(huì )投入生產(chǎn)。多年來(lái),我一直懷疑 high-NA 將是最后一個(gè) NA,這種信念沒(méi)有改變!

對于“標準”EUV,NA 是 0.33,對于High NA,它是 0.55,對于hyper-NA,它會(huì )“高于 0.7,也許是 0.75。理論上是可以做到的。從技術(shù)上講,這是可以做到的。但是更大的鏡頭市場(chǎng)還有多少空間呢?我們甚至可以出售這些系統嗎?

我對High NA 偏執,我對hyper-NA更加偏執。如果hyper-NA的成本增長(cháng)得像我們在High NA 中看到的那樣快,那么它在經(jīng)濟上幾乎是不可行的。盡管這本身也是一個(gè)技術(shù)問(wèn)題。而這正是我們正在研究的!

因此,hyper-NA 研究計劃的主要目標是提出智能解決方案,使技術(shù)在成本和可制造性方面保持可控。

Van den Brink 不想建造更大的怪物,他說(shuō),他指著(zhù)他收藏的計量容器的微型版本,但也提到了鏡頭等光刻機組件!拔覀冋噲D在制造和設計方面做出根本性的改變,以確保如果我們要這樣做,它在經(jīng)濟上是可行的!

“所以這與我們的High NA 方法大相徑庭。我們將確保實(shí)現高數值孔徑。對于超 NA,我們承認可能存在無(wú)法克服的成本限制,至少因為晶體管縮小速度正在放緩。

由于系統集成,繼續開(kāi)發(fā)新一代芯片仍然是值得的——這是個(gè)好消息。但在這一點(diǎn)上,問(wèn)題變得非,F實(shí):哪些芯片結構太小而無(wú)法經(jīng)濟地制造?”
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