256Mb自旋轉移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

發(fā)布時(shí)間:2022-9-27 17:37    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: DDR , MRAM , EMD3D256M
EMD3D256M DDR3自旋轉移扭矩MRAM是一種容量為256Mb(32Mb x 8、16Mb x 16)DDR3的非易失性存儲器,可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達 1333MT/Sec/Pin的速率進(jìn)行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能,包括設備端接 (ODT) 和內部ZQ校準,但具有數據持久性和極高的寫(xiě)入周期耐久性的優(yōu)勢。采用Spin-Torque MRAM 技術(shù),無(wú)需單元刷新,極大地簡(jiǎn)化了系統設計并降低了開(kāi)銷(xiāo)。

Everspin自旋轉移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時(shí)鐘同步,輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。I/O與一對雙向選通脈沖(DQS、DQS)同步。采用 RAS/CAS 多路復用方案,工作電壓為 1.5V。更多產(chǎn)品詳情請洽英尚國際。

DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機存取存儲器。每當設備因任何原因斷電時(shí),關(guān)閉/預充電銀行中的所有數據都會(huì )保留在內存中。在某些情況下,命令時(shí)間會(huì )有所不同。DDR3 標準適用于高于256Mb的密度,從而導致尋址和頁(yè)面大小不同。


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