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CISSOID與重慶平創(chuàng )半導體研究院有限責任公司共同宣布：雙方已建立戰略合作伙伴關(guān)系，將針對碳化硅等第三代功率半導體的應用共同開(kāi)展研發(fā)項目，使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能能夠在航空航天、數字能源、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、5G通信、節能環(huán)保等領(lǐng)域得以充分發(fā)揮，并提供優(yōu)質(zhì)的高功率密度和高溫應用系統解決方案。 第三代寬禁帶半導體（如碳化硅）已日趨成熟和大規模商業(yè)化，并且在幾乎所有電力電子領(lǐng)域都以其高效率等卓越性能而正逐步全面取代基于體硅的功率器件，從而進(jìn)入電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、船舶、太陽(yáng)能、風(fēng)能、電網(wǎng)及儲能等等應用。用碳化硅功率器件替代硅基IGBT的初始益處是減小體積、提高效率；更為重要的進(jìn)步，將是充分發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，從而能夠實(shí)現原本體硅IGBT難以實(shí)現或根本不能做到的應用，為系統應用設計者提供全新的拓展空間。 這些超越傳統體硅IGBT能力的電力電子應用的重要性體現在兩個(gè)主要方面：其一，在高功率密度應用中，功率器件本身的發(fā)熱所導致的溫升，使得器件耐溫能力的選擇和熱管理系統的設計尤顯重要；其二，由于受應用環(huán)境和成本的影響，許多高溫環(huán)境應用通常是沒(méi)有液冷條件的，這樣就更加考驗器件本身的耐溫能力及其高溫工作壽命。因此，高溫半導體技術(shù)對于第三代寬禁帶半導體技術(shù)的廣泛應用至關(guān)重要。 重慶平創(chuàng )半導體研究院有限責任公司（Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)平創(chuàng )半導體）致力于開(kāi)發(fā)新的功率半導體技術(shù)，尤其是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體技術(shù)，公司具有很強的功率芯片/功率IC/功率器件設計研發(fā)能力，以及完善的功率模塊研發(fā)和生產(chǎn)體系，并針對電力電子行業(yè)提供完整的功率系統解決方案。 CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，專(zhuān)為極端溫度與惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉換與信號調節提供標準產(chǎn)品與定制解決方案。此次兩家公司開(kāi)展合作將有助于發(fā)揮雙方的優(yōu)勢，為中國的電力電子應用領(lǐng)域提供先進(jìn)的高功率密度和高溫產(chǎn)品及解決方案。 “高功率密度和高溫應用一直是電力電子行業(yè)的重大挑戰，也是重要的發(fā)展方向之一�！�，平創(chuàng )半導體總經(jīng)理陳顯平博士表示，“碳化硅功率器件在高功率密度和高溫應用時(shí)必須配備與其耐高溫等級相當的驅動(dòng)芯片和電路，而CISSOID公司的高溫‘絕緣層上硅（Silicon On Insulator，SOI）’器件恰好堪當此任。SiC功率器件固有的耐高溫性能與高溫SOI集成電路是非常理想的搭配，可以充分發(fā)揮SiC功率器件的性能。我們非常榮幸與CISSOID公司開(kāi)展深入合作，共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高功率密度和高溫產(chǎn)品和解決方案�！� “我們非常榮幸與平創(chuàng )半導體公司開(kāi)展深入合作，他們所具有的極強功率器件設計能力和完善的功率模塊研發(fā)和生產(chǎn)體系給我們留下了很深刻的印象�！盋ISSOID首席技術(shù)官Pierre Delette先生表示，“我們與平創(chuàng )半導體的緊密合作將致力于開(kāi)發(fā)出新型封裝設計，使碳化硅功率器件與耐高溫SOI驅動(dòng)電路更加緊密結合，盡可能減小寄生電感，以求將碳化硅器件的性能發(fā)揮到極致，并使整體方案更加精巧，便于高密度緊湊安裝，為各個(gè)電力電子領(lǐng)域提供高溫和高功率密度應用產(chǎn)品和解決方案�！� 
圖1 法國技術(shù)市場(chǎng)趨勢調查公司YOLE對功率器件結溫的預測 Yole Development的市場(chǎng)調查報告（圖1）表明，自硅基功率半導體器件誕生以來(lái)，應用的需求一直推動(dòng)著(zhù)結溫的升高，目前已達到150℃。隨著(zhù)諸如SiC等第三代寬禁帶半導體器件的出現、已日趨成熟并且全面商業(yè)化普及，其獨特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結溫從目前的150℃邁向175℃，未來(lái)將進(jìn)軍200℃。 借助于SiC的獨特耐高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢，這一結溫不斷提升的趨勢將大大改變電力系統的設計格局，并大力推動(dòng)高功率密度和高溫應用的發(fā)展。這些典型的和正在興起的高溫、高功率密度應用正在廣泛進(jìn)入我們的生活，其中包括深度整合的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成、多電和全電飛機乃至電動(dòng)飛機、移動(dòng)儲能充電站和充電寶，以及其他各種液體冷卻受到嚴重限制的電力電子應用。 |
