電力電子與新能源越來(lái)越歡迎SiC MOSFET(國產(chǎn)碳化硅MOS管)技術(shù)
![]() ![]() |
碳化硅MOS 前景怎么樣? |
SIC 寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
碳化硅MOS已經(jīng)在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量使用。![]() |
![]() |
第三代半導體SiC ,OBC、光伏儲能 大量采用 |
第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
第三代半導體SiC MOS管 ,OBC、光伏儲能 大量采用 |
效率得到提升,節省空間、重量減輕,零件數量減少,系統可靠性增強。 |
碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913 |
效率得到提升,節省空間、重量減輕,零件數量減少 |
SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動(dòng)以及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |