|
憑借數十年的創(chuàng )新技術(shù)經(jīng)驗以及可靠高效的下一代功率半導體，安森美將為能源基礎設施應用實(shí)現更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間 e絡(luò )盟宣布供應安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎設施應用。與同類(lèi)競品相比，這些新器件在現實(shí)條件下實(shí)現了更低的開(kāi)關(guān)損耗，能夠滿(mǎn)足下一代能源基礎設施系統的更高性能要求。 
隨著(zhù)脫碳轉型的加速，全球能源需求逐步轉向部署更多能源基礎設施系統，包括直流快速充電器（DCFC）、太陽(yáng)能逆變器和電池儲能系統（BESS）。 由于碳化硅的功率等級對于降低功率損耗、提高功率密度及降低冷卻成本至關(guān)重要，因此，使用具有基礎設施級可靠性且超堅固的SiC功率器件是設計出可靠耐用的能源基礎設施系統的關(guān)鍵環(huán)節之一。 e絡(luò )盟可現貨供應安森美EliteSiC系列器件，典型應用包括UPS、DC/DC轉換器、升壓逆變器、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和工業(yè)電源系統等，且這些器件均無(wú)鉛鹵，符合RoHS標準。其中主要包括： • EliteSiC單N溝道碳化硅器件，Typ. RDS（導通）= 80 m、超低柵極電荷（Typ. QG（tot）= 56 nC）、低有效輸出電容（Typ. Coss = 79 pF）、TJ = 175°C，且100%經(jīng)雪崩測試 • EliteSiC NXH006P120MNF2 MOSFET功率模塊，具有1個(gè)6 m /1200 V SiC MOSFET半橋和1個(gè)熱敏電阻，采用F2封裝，可選帶或不帶預涂熱界面材料（TIM），以及焊接或壓合式插針選項。 Farnell及e絡(luò )盟晶體管與WBG全球產(chǎn)品部主管Adrian Cotterill表示：“新增的EliteSiC系列器件是對e絡(luò )盟產(chǎn)品陣容的又一關(guān)鍵補充，便于工程師使用安森美的領(lǐng)先組件進(jìn)行能源基礎設施系統開(kāi)發(fā)，不僅品質(zhì)最高且性能是同類(lèi)中的佼佼者。這些經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化的全新SiC產(chǎn)品可滿(mǎn)足能源基礎設施終端應用的最新性能要求�！� 安森美持續致力于推動(dòng)顛覆性創(chuàng )新，以打造更美好的未來(lái)。公司專(zhuān)注于汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)，不斷加速實(shí)現大趨勢的變革，包括汽車(chē)電氣化和汽車(chē)安全、可持續能源網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎設施等。憑借高度差異化的創(chuàng )新產(chǎn)品組合，安森美打造出了智能電源和傳感技術(shù)，以助力解決全球最復雜的挑戰和難題，引領(lǐng)創(chuàng )建一個(gè)更安全、更清潔、更智能的世界。 客戶(hù)現可通過(guò)Farnell（歐洲、中東和非洲地區）、Newark（北美地區）和e絡(luò )盟（亞太地區）購買(mǎi)安森美最新能源基礎設施解決方案。 |
