Diodes 公司發(fā)表首款碳化硅蕭特基勢壘二極管 (SBD)

發(fā)布時(shí)間:2023-2-8 18:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SBD , 碳化硅 , SiC
Diodes 公司 (Diodes) 推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢壘二極管 (SBD)。產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品,以及 DIODES DSCxx120 系列,共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產(chǎn)品。



這些寬帶隙 SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠性,同時(shí)響應市場(chǎng)對降低系統執行成本并減少維護需求。這些裝置適用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 降壓變換器、光伏逆變器、不斷電系統和工業(yè)馬達驅動(dòng)產(chǎn)品應用。此外,本系列裝置也適用于其他各種電路,例如功率因子校正用途的升壓轉換器。

這些 SiC 裝置擁有高效率效能,表現優(yōu)于傳統硅晶型產(chǎn)品,能為電源供應器設計人員帶來(lái)空前產(chǎn)品效能優(yōu)勢,例如:

•        低電容電荷 (QC) 可將切換損耗降至極低,進(jìn)而提升高速切換產(chǎn)品應用的效率。適合用于功率密度具有較高、解決方案總尺寸較小的電路設計。

•        低順向電壓 (VF) 可進(jìn)一步提高效率、降低功率損耗和營(yíng)運成本。

•        減少散熱,有助于降低整個(gè)系統的散熱預算。

•        高突波電流能力可提升穩固性,實(shí)現較佳系統可靠性,而出色的熱效能還可降低建構成本。

本系列裝置提供三種封裝選項,包括表面黏著(zhù) TO252-2 (WX 型)、通孔 TO220AC (WX 型) 和 ITO220AC (WX-NC 型)。

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