國產(chǎn)碳化硅SiC模塊(丹弗斯DCM1200V800A)ASC800N1200DCS12。特點(diǎn):
![]() ![]() DCS12模塊特點(diǎn):1. 采用單面水冷+模封工藝,最高工作結溫175℃; 2. 功率密度高,適用高溫、高頻應用,超低損耗; 3. 集成NTC溫度傳感器,易于系統集成。 |
適用高溫、高頻應用,超低損耗 |
國產(chǎn)模塊 DCM/1200V800A |
集成NTC溫度傳感器,易于系統集成 |
國產(chǎn)碳化硅SiC模塊ASC800N1200DCS12 |
碳化硅技術(shù)的優(yōu)勢:效率得到提升,節省空間、重量減輕,零件數量減少,系統可靠性增強。 |
全碳SiC模塊 |
效率得到提升,節省空間、重量減輕,零件數量減少,系統可靠性增強。 |
DCS12模塊優(yōu)化水道結構設計,在提升散熱效率降低熱阻的同時(shí),提升系統可靠性 |
效率得到提升,節省空間、重量減輕,零件數量減少 |
SiC MOSFET柵極驅動(dòng)器示例 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
頂起—————頂起 |
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-821142-1-1.html |
https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=Mzk0MjY3NzA1NQ==&mid=2247483927&idx=1&sn=689db016cd3284ac0febb5542ad7b412&chksm=c33ecf47f4494651675ab36d612dda056c013cd50ba75d8e42c757394904e5505c8143dd4c71#rd |
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |