Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應用。
Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機械設計和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開(kāi)關(guān)頻率運行，通過(guò)使用更小的外部元件進(jìn)一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡(jiǎn)化電源設計流程，讓我們的客戶(hù)能夠專(zhuān)注做好單一模塊的設計、布局、組裝、特性分析和認證，無(wú)需應對多個(gè)分立式元件�！� 以 9.4mΩ 導通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨特的共源共柵配置，最大限度地降低了導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢在軟開(kāi)關(guān)應用中尤為顯著(zhù)。另外，銀燒結芯片貼裝將熱阻降至 0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號中的疊層芯片結構相結合，其功率循環(huán)性能比市場(chǎng)同類(lèi) SiC 電源模塊高出 2 倍。得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。 下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模塊系列：
Qorvo 功能強大的設計工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE 軟件）有助于產(chǎn)品選擇和性能仿真。如需詳細了解有關(guān) Qorvo 先進(jìn)的工業(yè)應用 SiC 解決方案，請訪(fǎng)問(wèn) cn.qorvo.com/go/sic。 Qorvo SiC 模塊系列已在美國加利福尼亞州長(cháng)灘會(huì )議中心舉行的國際電力電子應用展覽會(huì )（APEC）上進(jìn)行了首次亮相。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn) Qorvo APEC 2024 頁(yè)面。 |
