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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察整理 近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標志著(zhù)我校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進(jìn)展。 據陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時(shí)擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢。 值得注意的是，今年2月，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設計出發(fā)，成功構建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(cháng)的熱場(chǎng)結構。 這突破了6英寸氧化鎵單晶生長(cháng)技術(shù)，具有良好的結晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 |
