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來(lái)源：快科技 近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心先進(jìn)半導體研究院、硅及先進(jìn)半導體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室。 采用自主開(kāi)創(chuàng )的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。 完全自主產(chǎn)權 中國第四代半導體新突破！6英寸氧化鎵單晶實(shí)現產(chǎn)業(yè)化 
6英寸導電型氧化鎵襯底 杭州鎵仁半導體，也成為國內首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。 據介紹，氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱(chēng)為第四代半導體材料。 該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國防軍工等領(lǐng)域，均具有廣闊應用前景。 完全自主產(chǎn)權 中國第四代半導體新突破！6英寸氧化鎵單晶實(shí)現產(chǎn)業(yè)化
6英寸非故意摻雜（上）與導電型（下）氧化鎵單晶 該公司表示，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著(zhù)優(yōu)勢： 第一，鑄造法成本低，由于貴金屬I(mǎi)r的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著(zhù)降低； 第二，鑄造法簡(jiǎn)單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大； 第三，鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權，中國和美國專(zhuān)利已授權，為突破國外技術(shù)壟斷，實(shí)現國產(chǎn)化替代奠定堅實(shí)基礎。 目前而言，日本的NCT在氧化鎵襯底方面，仍占據著(zhù)領(lǐng)先地位，但國內也總體呈現追趕態(tài)勢。 |
