|
近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導體”）在氧化鎵晶體生長(cháng)領(lǐng)域取得了重大技術(shù)突破，成功生長(cháng)出高質(zhì)量的2英寸氧化鎵單晶。 據了解，鎵仁半導體此次的技術(shù)突破得益于其自主研發(fā)的氧化鎵專(zhuān)用晶體生長(cháng)設備，以及創(chuàng )新的垂直布里奇曼法（VB）晶體生長(cháng)技術(shù)。傳統的氧化鎵晶體生長(cháng)方法往往需要使用昂貴的銥坩堝，并且面臨高溫分解、坩堝腐蝕導致的晶體缺陷等難題。而鎵仁半導體采用的VB法則有效解決了這些問(wèn)題，不僅無(wú)需使用銥坩堝，還能夠在空氣氣氛下生長(cháng)單晶，有效抑制了氧化鎵的高溫分解，減少了晶體缺陷，提高了晶體質(zhì)量。 此外，VB法還具有溫度梯度小、不需要控制晶體直徑等特點(diǎn)，使得晶體生長(cháng)過(guò)程更加穩定可控，降低了技術(shù)難度。同時(shí)，鎵仁半導體的晶體生長(cháng)設備還支持多種不同晶面的單晶氧化鎵生產(chǎn)，具備從2英寸升級至4英寸單晶的能力，為未來(lái)的科研和產(chǎn)業(yè)化提供了廣闊的空間。 鎵仁半導體的這一技術(shù)突破，不僅打破了西方國家在氧化鎵設備和材料領(lǐng)域的技術(shù)封鎖，更為我國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新的活力。隨著(zhù)5G通信、人工智能、電動(dòng)汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)對高性能半導體材料的需求日益增加。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導體材料，因其優(yōu)異的電學(xué)性能和熱穩定性，在電力電子、射頻器件等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。 |
