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來(lái)源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據鎵仁半導體官微消息，2024年7月，杭州鎵仁半導體有限公司在氧化鎵晶體生長(cháng)與襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報導的最大尺寸，達到國際領(lǐng)先水平。 據悉，在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現。首先，（010）襯底熱導率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長(cháng)速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。目前，鎵仁半導體推出晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，該產(chǎn)品面向科研市場(chǎng)，滿(mǎn)足科研領(lǐng)域對(010)襯底的需求，促進(jìn)業(yè)內產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。 資料顯示，杭州鎵仁半導體有限公司主要從事氧化鎵等半導體單晶材料的研發(fā)與生產(chǎn)。此前聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心先進(jìn)半導體研究院、硅及先進(jìn)半導體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室，采用楊德仁院士團隊自主開(kāi)創(chuàng )的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。今年4月還推出了2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。 |
