安森美半導體(ON Semiconductor) 擴充其N(xiāo)溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過(guò)完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過(guò)渡電壓應力的設計。
安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車(chē)中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無(wú)鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規范特性包括： • 導通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ) • 電流能力高達76安培(A) • 經(jīng)過(guò)100%雪崩測試 • 通過(guò)AEC-Q101標準認證 封裝及價(jià)格 NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。這些MOSFET每10,000片批量的價(jià)格為0.92至1.90美元�，F提供樣品。 |
