貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能。
可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (VGS) 范圍為-15V至+25V，適用于柵極電壓達到-10V的快速開(kāi)關(guān)應用，從而提高系統可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A測試條件下的柵極電荷 (Qg) 僅為200nC，在快速開(kāi)關(guān)、大功率可再生能源應用中具有很高的效率。 NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (VRRM) 和重復峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設計人員能夠在高溫下實(shí)現穩定的高壓操作，并且不會(huì )影響SiC的高效率。 無(wú)論是電動(dòng)汽車(chē)充電站、利用可再生能源的電網(wǎng)，還是高壓/大電流的工業(yè)驅動(dòng)應用，安森美EliteSiC都能實(shí)現出色的效率，并降低功率損耗。 貿澤在過(guò)去兩年中提供了超122,000個(gè)新物料編號。如需進(jìn)一步了解安森美EliteSiC器件，敬請訪(fǎng)問(wèn)https://www.mouser.cn/new/onsemi/onsemi-wide-band-sic/。 如需進(jìn)一步了解NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET，敬請訪(fǎng)問(wèn)https://www.mouser.cn/new/onsemi/onsemi-nth4l028n170m1-mosfet/。 如需進(jìn)一步了解NDSH25170A和NDSH10170A 1700V EliteSiC肖特基二極管，敬請訪(fǎng)問(wèn)https://www.mouser.cn/new/onsemi/on-semi-1700v-diodes/。 |
