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全新產(chǎn)品系列包括快速開(kāi)關(guān)MOSFET和半橋功率集成模塊，具備領(lǐng)先行業(yè)的每開(kāi)關(guān)超低導通電阻Rds(on)，采用行業(yè)標準封裝 安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現更出色的能效和更低系統成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開(kāi)關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來(lái)越多的800 V電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器（OBC）和電動(dòng)汽車(chē)直流快充、太陽(yáng)能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。 
該產(chǎn)品組合還包括采用半橋功率集成模塊（PIMs）的新型EliteSiC M3S器件，具有領(lǐng)先業(yè)界的超低Rds（on），采用標準F2封裝。這些模塊非常適用于工業(yè)應用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉換階段。它們提供更高的集成度，采用優(yōu)化的直接鍵合銅設計，實(shí)現了并聯(lián)開(kāi)關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度，適用于能源基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電和不間斷電源（UPS）。 安森美高級副總裁兼先進(jìn)電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“安森美最新一代汽車(chē)和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將助力設計人員減小其應用占位和降低系統散熱要求。這有助于設計人員開(kāi)發(fā)出能效更高、功率密度更大的高功率轉換器�！� 車(chē)規級1200 V EliteSiC MOSFET專(zhuān)用于高達22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉換器。M3S技術(shù)專(zhuān)為高速開(kāi)關(guān)應用而開(kāi)發(fā)，具有領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗品質(zhì)因數。 |
