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概述： BUK9Kx是耐重復雪崩的ASFET，具有40V至60V最大漏極-源極電壓、16ID至40ID漏極電流范圍以及7.9QGD柵極-漏極電荷。這些ASFET完全符合汽車(chē)級AEC-Q101標準，具有高穩健性和可靠性，采用LFPAK銅夾封裝技術(shù)。Nexperia耐重復雪崩的ASFET非常適合用于12V、24V和48V汽車(chē)系統、重復雪崩拓撲和發(fā)動(dòng)機控制應用。 特性： 完全符合汽車(chē)級AEC-Q101標準（+175°C時(shí)） 重復雪崩至額定值：+30°C Tj上升 通過(guò)10億雪崩事件測試 LFPAK銅夾封裝技術(shù) 高穩健性和可靠性 翼型引線(xiàn)，實(shí)現高可制造性和AOI 
1、BUK9K25-40RAX：MOSFET - 陣列 40V 18.2A（Ta） 32W（Ta） 表面貼裝型 LFPAK56D 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物） 配置：2 N-通道（雙） FET 功能：邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）：40V 25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：18.2A（Ta） 不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：6.3nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：701pF @ 25V 功率 - 最大值：32W（Ta） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型：表面貼裝型 封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56 供應商器件封裝：LFPAK56D 2、BUK9K35-60RAX：MOSFET - 陣列 60V 22A（Ta） 38W（Ta） 表面貼裝型 LFPAK56D 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物） 配置：2 N-通道（雙） FET 功能：邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）：60V 25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id)：22A（Ta） 不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：7.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1081pF @ 25V 功率 - 最大值：38W（Ta） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型：表面貼裝型 封裝/外殼：SOT-1205，8-LFPAK56 供應商器件封裝：LFPAK56D 應用： • 12V、24V和48V汽車(chē)系統 • 重復雪崩拓撲 • 引擎控制 • 傳動(dòng)控制 • 執行器和輔助負載 明佳達電子有限公司/星際金華（供應、回收）2 N-通道（雙）BUK9K25-40RAX、BUK9K35-60RAX車(chē)規級MOSFET器件，如有興趣，請聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢(xún)。 |
