強固的快速導通、低損耗500/600V功率MOSFET(安森美)

發(fā)布時(shí)間:2010-2-22 17:52    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: MOSFET , 安森 , 功率 , 強固 , 損耗
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500V和600V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用于A(yíng)TX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮流器。

這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET,以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實(shí)現極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù),能在極苛刻應用中工作。低門(mén)電荷降低開(kāi)關(guān)損耗,還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開(kāi)發(fā)更高能效的電源子系統。



新推出的600 V MOSFET器件包括:
-    NDD02N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
-    NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元
-    NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
-    NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元
-    NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
-    NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
-    NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元
-    NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元
-    NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元

新推出的500 V MOSFET器件包括:
-    NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
-    NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
-    NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元
-    NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元
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