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來(lái)源：TechWeb 10月31日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應用于DDR5 RDIMM內存模組，旨在進(jìn)一步提升內存數據訪(fǎng)問(wèn)的速度及穩定性，滿(mǎn)足新一代服務(wù)器平臺對容量、帶寬、訪(fǎng)問(wèn)延遲等內存性能的更高要求。 
作為國際領(lǐng)先的內存接口芯片供應商，瀾起科技在DDR5內存接口技術(shù)上持續精進(jìn)，不斷推進(jìn)產(chǎn)品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03芯片支持高達6400MT/s的數據速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。 與DDR4世代的RCD產(chǎn)品相比，該款芯片采用雙通道架構，支持更高的存儲效率和更低的訪(fǎng)問(wèn)延時(shí)；采用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著(zhù)降低；支持更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256GB。 瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示：“我們很榮幸在DDR5 RCD03芯片的研發(fā)和試產(chǎn)上均保持行業(yè)領(lǐng)先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠(chǎng)商緊密合作，助力DDR5服務(wù)器大規模商用�！� 英特爾內存與IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特爾一直處于DDR5內存技術(shù)和生態(tài)系統發(fā)展的前沿，支持可靠和可擴展的行業(yè)標準。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的內存接口芯片上取得了新進(jìn)展，該芯片可與英特爾下一代E核和P核至強®CPU配合使用，助力CPU釋放強勁性能�！� 三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執行副總裁Yongcheol Bae先生表示：“三星一直致力于最新一代內存產(chǎn)品的研發(fā)和應用，以滿(mǎn)足數據密集型應用對內存容量和帶寬迅猛增長(cháng)的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5內存產(chǎn)品標準，推進(jìn)產(chǎn)品迭代和創(chuàng )新�！� 除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數據緩沖器（DB）、串行檢測集線(xiàn)器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內存模組提供多種必不可少的功能和特性。 瀾起科技現可供貨第一子代、第二子代和第三子代DDR5寄存時(shí)鐘驅動(dòng)器芯片，產(chǎn)品型號為M88DR5RCD01、M88DR5RCD02和M88DR5RCD03。 |
