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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 當地時(shí)間11月15日，德國功率半導體大廠(chǎng)英飛凌公布2023財年第四季度及全年財報（截至2023年9月30日）。受益于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源發(fā)電和能源基礎設施領(lǐng)域的增長(cháng)，該公司全年營(yíng)收超千億元，優(yōu)于市場(chǎng)預期。 根據數據，英飛凌2023財年第四季度營(yíng)收為41.49億歐元（折合人民幣約326億元），利潤達10.44億歐元（折合人民幣約82億元），利潤率為25.2%。2023財年英飛凌營(yíng)收為163.09億歐元（折合人民幣約1282億元），同比增長(cháng)15%；利潤達43.99億歐元（折合人民幣約346億元），同比增長(cháng)30%；利潤率為27%。 從業(yè)務(wù)上看，英飛凌汽車(chē)電子事業(yè)部（ATV）貢獻了21.6億歐元，較去年同期成長(cháng)12%，是其最大的營(yíng)收來(lái)源。 
展望2024財年第一季度，假設歐元兌美元匯率為1:1.05，英飛凌預計營(yíng)收約38億歐元（折合人民幣約299億元）。在此基礎上，利潤率預計將達到22%左右。 展望2024財年，假設歐元兌美元匯率為1:1.05，英飛凌預計營(yíng)收約為165億-175億歐元（折合人民幣約1297億-1376億元），如果營(yíng)收為預測區間的中點(diǎn)，則利潤率約為24%，調整后毛利率約為45%。英飛凌認為，預估2024財年營(yíng)收成長(cháng)呈現放緩，主要因個(gè)人電腦（PC）及智能手機客戶(hù)需求仍弱。 英飛凌表示，2024財年預計投資額將達到33億歐元（折合人民幣約260億元）�？紤]到前段晶圓廠(chǎng)房主要投資及收購GaN Systems公司，調整后的自由現金流約為22億歐元（折合人民幣約173億元），所報自由現金流約為4億歐元（折合人民幣約31億元）。 英飛凌預計2024財年的營(yíng)收將持續增長(cháng)，但增速將有所放緩，公司正在對市場(chǎng)形勢做出迅速反應。同時(shí)，公司將繼續堅持實(shí)施戰略，把握結構性增長(cháng)機會(huì )，并通過(guò)長(cháng)期投資進(jìn)一步鞏固其在全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。 加強三代半業(yè)務(wù)布局 作為功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先廠(chǎng)商，今年來(lái)，英飛凌持續加強對第三代半導體業(yè)務(wù)布局，特別是碳化硅、氮化鎵第三代半導體兩大代表領(lǐng)域。 收購上，除了上面提到的GaN Systems公司，英飛凌還收購了瑞典初創(chuàng )企業(yè)Imagimob，擴充其AI產(chǎn)品陣容。合作上，英飛凌與多家企業(yè)簽訂了長(cháng)期供貨協(xié)議，包括天岳先進(jìn)、天科合達等中國本土碳化硅襯底制造商。今年5月，英飛凌與天岳先進(jìn)和天科合達簽署了合同，達成了150毫米碳化硅晶圓和晶錠供應協(xié)議，預計這兩家本土廠(chǎng)商的供應量將分別占到英飛凌長(cháng)期需求量的兩位數份額，同時(shí)也將助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓的過(guò)渡。 產(chǎn)能上，英飛凌計劃在馬來(lái)西亞工廠(chǎng)進(jìn)行第二期擴建，建設全球最大的200毫米碳化硅半導體晶圓工廠(chǎng)，第二期擴建項目預計將于2027年投入運營(yíng)。英飛凌還計劃在全球碳化硅市場(chǎng)占據更大份額，到2030年底公司在全球碳化硅市場(chǎng)中的份額占比將提高到30%。此外，在IGBT和MOSFET領(lǐng)域，英飛凌的無(wú)錫工廠(chǎng)和德國德累斯頓工廠(chǎng)也已開(kāi)始擴產(chǎn)。 看好第三代半導體整體市場(chǎng)增長(cháng) 英飛凌表示，在目標市場(chǎng)中看到了不同的發(fā)展趨勢，可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)（尤其是在中國）和汽車(chē)行業(yè)微控制器領(lǐng)域的半導體結構性增長(cháng)勢頭依然不減，而消費品、通信、計算和物聯(lián)網(wǎng)應用需求則處于短暫的低迷期。 近期，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業(yè)部負責人潘大偉在2023大中華區生態(tài)創(chuàng )新峰會(huì )（OktoberTech™）上表示，看好第三代半導體整體的市場(chǎng)增長(cháng)。 隨著(zhù)AI應用服務(wù)器對功率半導體有著(zhù)不同的技術(shù)需求, 對其特性的要求也不盡相同，能耗、能源效率成為關(guān)注重點(diǎn)，而氮化鎵功率半導體已經(jīng)被視為提高數據中心能源效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。針對氮化鎵未來(lái)發(fā)展，潘大偉認為，氮化鎵已經(jīng)到了一個(gè)新的拐點(diǎn)，不僅可以應用于充電器快充市場(chǎng)，還可以用于儲能、充電站等領(lǐng)域。 另?yè)⺄rendForce集邦咨詢(xún)表示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規模將從2022年的1.8億美金成長(cháng)到2026年的13.3億美金，復合增長(cháng)率高達65%。 而在碳化硅方面，TrendForce集邦咨詢(xún)數據顯示，隨著(zhù)Infineon、ON Semi等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規模達22.8億美元，年成長(cháng)41.4%。并預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規�？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。 |
