STS4DNF60L-VB一款2個(gè)N溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

發(fā)布時(shí)間：2024-1-10 16:10    發(fā)布者：VBsemi
關(guān)鍵詞： STS4DNF60L , VBsemi , mosfet
STS4DNF60L (VBA3638)參數說(shuō)明：2個(gè)N溝道，60V，6A，導通電阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓1.5V，封裝：SOP8。

應用簡(jiǎn)介：STS4DNF60L適用于高效率開(kāi)關(guān)和電流控制等領(lǐng)域。
其雙溝道設計和低導通電阻使其在多路信號控制中表現出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高效率開(kāi)關(guān)、電流控制和模擬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合多路信號控制的場(chǎng)景。


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