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專(zhuān)業(yè)研發(fā)提供節省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。 Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET 
PoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96個(gè)MOSFET，小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此，Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET，與以前采用LFPAK33封裝的版本相比，占用的空間減少了60%。這些器件的一個(gè)關(guān)鍵功能是通過(guò)限制浪涌電流來(lái)保護PoE端口，同時(shí)安全地管理故障情況。為了應對這種情況，Nexperia將這些器件的安全工作區(SOA)增強了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點(diǎn)、5G微微蜂窩和閉路電視應用，并且可以替代智能恒溫器中的機械式繼電器等。 由MOSFET開(kāi)關(guān)引起的EMC相關(guān)問(wèn)題通常只出現在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期的后期，解決這些問(wèn)題可能會(huì )產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場(chǎng)發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET（以減慢開(kāi)關(guān)速度并吸收過(guò)多的電壓振鈴）或安裝外部電容緩沖器電路，但這種方法的缺點(diǎn)是會(huì )增加元件數量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供與使用外部緩沖器電路可實(shí)現的相似的EMC性能，同時(shí)還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝，適用于各種應用的開(kāi)關(guān)轉換器和電機控制器。 Nexperia MOSFET營(yíng)銷(xiāo)和產(chǎn)品部總監Chris Boyce說(shuō)道：“通過(guò)在A(yíng)PEC 2024上推出我們的分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列，Nexperia展示了我們如何利用我們專(zhuān)業(yè)的研發(fā)知識來(lái)提供優(yōu)化的解決方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改進(jìn)的EMC性能都表明了我們堅定支持工程師克服各種應用挑戰的決心。這些創(chuàng )新凸顯了Nexperia致力于提供高效、緊湊和可靠的解決方案，幫助我們的客戶(hù)在當今不斷發(fā)展的市場(chǎng)中取得成功�！� 欲了解有關(guān)Nexperia PoE ASFET的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)： https://nexperia.cn/asfets-for-poe 欲了解有關(guān)Nexperia NextPowerS3 MOSFET的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://nexperia.cn/nextpowers3 |
