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來(lái)源：EXPreview 近年來(lái)，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動(dòng)高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場(chǎng)對HBM類(lèi)DRAM的需求也在迅速增長(cháng)。從去年下半年起，就不斷傳出有關(guān)下一代HBM4的消息，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了這方面的投入，以加快研發(fā)的進(jìn)度。 據ZDNet報道，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )可能會(huì )放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制。為了降低三星、SK海力士和美光的制造難度，傳聞JEDEC可能將12層及16層堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著(zhù)存儲器制造商可以在現有的鍵合技術(shù)中實(shí)現16層堆疊，無(wú)需轉向新的混合鍵合技術(shù)。 目前無(wú)論是三星的TC NCF技術(shù)還是SK海力士的MR-RUF技術(shù)，都是使用凸塊實(shí)現層與層之間的連接。上個(gè)月三星宣布，已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM，從過(guò)去的8層堆疊提高至12層堆疊，而且通過(guò)對TC NCF材料的優(yōu)化，已經(jīng)將間隙減低至7微米。不過(guò)要實(shí)現16層堆疊，厚度必然會(huì )繼續增加，現有的技術(shù)在原限定高度下很難實(shí)現這樣的操作。 混合鍵合技術(shù)不需要凸塊，通過(guò)板載芯片和晶圓直接鍵合，讓層與層之間更加緊密，以減少封裝厚度。不過(guò)混合鍵合技術(shù)尚未成熟，而且相比現有的鍵合技術(shù)過(guò)于昂貴，因此現階段存儲器制造商還不太愿意采用。 隨著(zhù)JEDEC同意放寬HBM4的高度限制要求，一方面為混合鍵合技術(shù)爭取到了更多的開(kāi)發(fā)時(shí)間，另一方面也加快了HBM4的商業(yè)化進(jìn)程。 |
