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來(lái)源：EXPreview 近年來(lái)，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動(dòng)高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場(chǎng)對HBM類(lèi)DRAM的需求也在迅速增長(cháng)。三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了這方面的投入，以加快研發(fā)的進(jìn)度。從去年下半年起，就不斷傳出有關(guān)下一代HBM4的消息。 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )已發(fā)出公告，宣布即將完成HBM4標準的制定工作。新設計被認為是HBM3標準的進(jìn)化，旨在進(jìn)一步提高數據處理速率，同時(shí)保持基本功能，比如更高的帶寬、更低的功耗、增加每個(gè)芯片以及堆棧的容量。 JEDEC表示，HBM4的進(jìn)步對于需要高效處理大型數據集和復雜計算的應用程序來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，覆蓋范圍包括生成式AI、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器。與HBM3相比，HBM4將使每個(gè)堆棧的通道數增加一倍，并且占用了更大的物理空間。早在去年就有報道稱(chēng)，HBM4堆棧將采用2048位接口，而以往每個(gè)HBM堆棧采用的都是1024位接口，位寬翻倍是2015年HBM內存技術(shù)推出后的最大變化。 此外，為了確保支持設備的兼容性，在新標準里，單個(gè)控制器可以同時(shí)使用HBM3和HBM4，不同的配置需要不同的中介器來(lái)適配。HBM4將指定24Gb和32Gb層，并提供4-high、8-high、12-high和16-high的TSV堆棧，目前JEDEC已就最高6.4 Gbps的速率達成協(xié)議，并討論更高的頻率。 有消息稱(chēng)，JEDEC為了降低三星、SK海力士和美光的制造難度，可能會(huì )放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，12層及16層堆疊的HBM4高度將放寬至775微米。這意味著(zhù)利用現有的鍵合技術(shù)就能實(shí)現16層堆疊，而無(wú)需轉向新的混合鍵合技術(shù)。 |
