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國際半導體行業(yè)標準組織JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )今日正式宣布，備受期待的高帶寬內存（HBM）DRAM新標準——HBM4已正式發(fā)布。這一新標準的發(fā)布，標志著(zhù)高帶寬內存技術(shù)邁入了新的發(fā)展階段，將為需要高效處理大型數據集和復雜計算的應用程序提供更強有力的支持。 HBM4作為HBM系列的最新一代產(chǎn)品，在帶寬、容量、能效以及安全性等方面均實(shí)現了顯著(zhù)提升。據JEDEC介紹，HBM4采用了2048-bit的接口寬度，傳輸速度高達8Gb/s，總帶寬可達驚人的2TB/s，相比上一代HBM3有了質(zhì)的飛躍。這一帶寬水平將極大地提升數據處理速率，滿(mǎn)足人工智能、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域對內存帶寬的極高要求。 在容量方面，HBM4支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，芯片容量為24Gb或32Gb，單個(gè)堆棧最大容量可達64GB。此外，HBM4還將每個(gè)堆棧的獨立通道數量增加了一倍，從HBM3時(shí)期的16個(gè)通道翻倍到32個(gè)通道，為設計人員提供了更大的靈活性和獨立的訪(fǎng)問(wèn)多維數據集的方式。 能效方面，HBM4同樣表現出色。它支持供應商特定的VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V或0.9V）和VDDC（1.0V或1.05V）電平，有效降低了功耗并提高了能源效率。這對于追求綠色、可持續發(fā)展的現代社會(huì )來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)重要的進(jìn)步。 安全性方面，HBM4也進(jìn)行了全面升級。它結合了定向刷新管理（DRFM）功能，以改進(jìn)行對row-hammer攻擊的緩解效果，并提升了整體的可靠性、可用性和可維護性（RAS）。這一功能的加入，將為數據的安全存儲和傳輸提供更有力的保障。 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )表示，HBM4標準的發(fā)布對于推動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng )新發(fā)展具有重要意義。它不僅將滿(mǎn)足市場(chǎng)對更高性能、更大容量、更低功耗內存的需求，還將促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和應用拓展。 隨著(zhù)HBM4標準的正式發(fā)布，各大半導體廠(chǎng)商和OEM廠(chǎng)商將紛紛展開(kāi)相關(guān)的研發(fā)和生產(chǎn)工作。預計未來(lái)幾年內，HBM4將成為高端計算領(lǐng)域的主流內存技術(shù)之一，為人工智能、大數據處理、云計算等前沿技術(shù)的發(fā)展提供強有力的支持。 JESD270-4規范官網(wǎng)下載：https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd270-4 |
