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來(lái)源：EXPreview 近年來(lái)，人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和PC一直在推動(dòng)高性能DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，市場(chǎng)對HBM產(chǎn)品的需求也在迅速增長(cháng)，三星、SK海力士和美光三家主要存儲器制造商都加大了投入。SK海力士作為目前HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導者，首次現身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技術(shù)，表示混合鍵合將在芯片堆疊中發(fā)揮至關(guān)重要的作用。 據Trendforce報道，SK海力士的MR-RUF技術(shù)是將半導體芯片附著(zhù)在電路上，使用EMC（液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂模塑料）填充芯片之間或芯片與凸塊之間的間隙�，F階段MR-RUF技術(shù)可實(shí)現更緊密的芯片堆疊，散熱性能提高10%，能效提高10%，最多可實(shí)現12層垂直堆疊，提供36GB容量的產(chǎn)品。 相比之下，三星和美光使用的是TC NCF技術(shù)，需要高溫高壓將材料固化再熔化，然后進(jìn)行清洗。這個(gè)過(guò)程涉及2-3個(gè)步驟，而MR-RUF技術(shù)可以在不需要清洗的情況下一步完成整個(gè)過(guò)程。根據SK海力士的說(shuō)法，MR-RUF的導熱系數大約是TC NCF的兩倍，顯著(zhù)影響了生產(chǎn)速度和產(chǎn)量。從目前的市場(chǎng)占有率來(lái)看，SK海力士的說(shuō)法似乎非常有說(shuō)服力。 傳聞JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會(huì )可能會(huì )放寬HBM4在高度方面的要求，也就是最高的720微米的限制，將12層及16層垂直堆疊的HBM4高度放寬至775微米，這意味著(zhù)存儲器制造商可以在現有的鍵合技術(shù)中實(shí)現16層堆疊，無(wú)需轉向新的混合鍵合技術(shù)。 SK海力士透露，在未來(lái)的芯片堆疊中，將消除凸塊，并使用特殊材料填充和連接芯片。這種材料類(lèi)似于液體或膠水，將提供散熱和芯片保護，從而實(shí)現更薄的整體芯片堆棧。SK海力士非常地樂(lè )觀(guān)，認為混合鍵合技術(shù)有可能在不超過(guò)775微米的情況下實(shí)現20層以上的堆疊，不需要轉向新的工藝。 |
