|
來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 近日，據南京大學(xué)官方消息，南京大學(xué)成功研發(fā)出大尺寸碳化硅激光切片設備與技術(shù)，標志著(zhù)我國在第三代半導體材料加工設備領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該技術(shù)不僅解決了傳統切割技術(shù)中的高材料損耗問(wèn)題，還大幅提高了生產(chǎn)效率，對推動(dòng)碳化硅器件制造技術(shù)的發(fā)展具有重大意義。 碳化硅（SiC）作為一種關(guān)鍵的戰略材料，對安全、全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和能源產(chǎn)業(yè)都至關(guān)重要。南京大學(xué)研發(fā)的這項新技術(shù)，針對碳化硅單晶加工過(guò)程中的切片性能進(jìn)行了重要改進(jìn)，能夠有效控制晶片表層裂紋損傷，從而提高后續薄化、拋光的加工水平。 “傳統的多線(xiàn)切割技術(shù)在加工碳化硅時(shí)存在材料損耗率高和加工周期長(cháng)的問(wèn)題，這不僅增加了生產(chǎn)成本，也限制了產(chǎn)能�！表椖控撠熑私榻B，傳統方法在切割環(huán)節的材料利用率僅為50%，而經(jīng)過(guò)拋光研磨后的材料損耗高達75%。 為了克服這些挑戰，南京大學(xué)的技術(shù)團隊采用激光切片設備，顯著(zhù)降低了材料損耗，并提升了生產(chǎn)效率。以一個(gè)20毫米的SiC晶錠為例，傳統線(xiàn)鋸技術(shù)能生產(chǎn)30片350微米的晶圓，而激光切片技術(shù)能生產(chǎn)50多片，甚至在優(yōu)化晶圓幾何特性后，可以將單片晶圓厚度減少到200微米，從而使單個(gè)晶錠生產(chǎn)的晶圓數量超過(guò)80片。 此外，南京大學(xué)研發(fā)的激光切片設備在切割時(shí)間上也具有顯著(zhù)優(yōu)勢。6英寸半絕緣/導電型碳化硅晶錠的單片切割時(shí)間不超過(guò)15分鐘，單臺設備的年產(chǎn)量可達30000片以上，且單片損耗得到有效控制，半絕緣碳化硅晶錠單片損耗控制在30微米以?xún)�，導電型則在60微米以?xún)�，產(chǎn)片率提升超過(guò)50%。在市場(chǎng)應用前景方面，大尺寸碳化硅激光切片設備將成為未來(lái)8英寸碳化硅晶錠切片的核心設備。目前，此類(lèi)設備僅有日本能夠提供，價(jià)格昂貴且對中國實(shí)行禁運。國內需求超過(guò)1000臺，而南京大學(xué)研發(fā)的設備不僅可用于碳化硅晶錠切割和晶片減薄，還適用于氮化鎵、氧化鎵、金剛石等材料的激光加工，具有廣闊的市場(chǎng)應用前景。 |
