美科學(xué)家開(kāi)發(fā)全新耐高溫存儲設備:600℃高溫數據不丟失

發(fā)布時(shí)間:2024-5-6 15:18    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 美國 , 存儲設備 , 600℃
來(lái)源:快科技

據媒體報道,美國賓夕法尼亞大學(xué)的研究團隊近日成功開(kāi)發(fā)了一款全新耐高溫存儲設備,該設備能在高達600℃的極端環(huán)境下穩定運行,確保存儲的數據安全無(wú)虞。

這款耐高溫存儲設備的核心在于其獨特的制造材料——氮化鋁鈧(AIScN)。據研究團隊成員Deep Jariwala介紹,氮化鋁鈧具有出色的化學(xué)穩定性,其強大的化學(xué)鍵能在高溫下保持結構的完整性和功能性,這使得該設備在面對高溫挑戰時(shí)展現出超凡的耐用性。

設備的內部結構采用了“金屬-絕緣體-金屬”的經(jīng)典設計,其中,一層45nm厚的氮化鋁鈧(AIScN)作為絕緣層,巧妙地將金屬鎳電極和金屬鉑電極結合在一起,這層氮化鋁鈧的厚度是設備成功的關(guān)鍵。

Jariwala解釋說(shuō):“氮化鋁鈧的厚度需經(jīng)過(guò)精心控制,太薄會(huì )導致材料在高溫下過(guò)于活躍而退化,而太厚則會(huì )削弱其鐵電開(kāi)關(guān)性能,進(jìn)而影響設備的工作效率!

這項技術(shù)不僅是對材料科學(xué)的突破,更是對當前芯片架構設計的一次重大革新。Jariwala指出,傳統的芯片架構中,中央處理器和內存是分離的,這導致了數據傳輸的延遲和效率低下。

尤其在處理大數據的AI應用程序中,這種缺陷更為明顯。而這款耐高溫存儲設備通過(guò)允許內存和處理器更緊密地集成在一起,極大地縮短了數據傳輸時(shí)間,從而提升了計算速度、復雜性和效率。這種設計理念被研發(fā)團隊稱(chēng)為“內存增強計算”。

展望未來(lái),這款耐高溫存儲設備有望在A(yíng)I系統建設中發(fā)揮重要作用。其卓越的耐高溫性能和高效的計算效率,將有助于提高AI系統的運行穩定性和計算效率,為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力。

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