|
來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 5月29日，科友半導體碳化硅晶體生長(cháng)車(chē)間傳來(lái)捷報，自主研發(fā)的電阻長(cháng)晶爐再次實(shí)現突破，成功制備出多顆中心厚度超過(guò)80mm，薄點(diǎn)厚度超過(guò)60mm的導電型6英寸碳化硅單晶。 科友半導體表示，這也是國內首次報道和展示厚度超過(guò)60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來(lái)降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力。此批次晶體呈現出微凸的形貌，表面光滑無(wú)明顯缺陷。 據了解，物理氣相傳輸（PVT）法生長(cháng)碳化硅單晶具有質(zhì)量可控、工藝成熟的優(yōu)勢，但晶體厚度一直是主要制約，而溶液法在提高晶體厚度方面表現突出，但是目前仍尚未能實(shí)現真正的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 科友半導體基于自研電阻爐，通過(guò)借鑒溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生長(cháng)高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩定生長(cháng)的優(yōu)勢，將兩種制備方法的優(yōu)勢成功結合到一起。 資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專(zhuān)注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長(cháng)晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，形成自主知識產(chǎn)權，已累計授權專(zhuān)利80余項，實(shí)現先進(jìn)技術(shù)自主可控。 科友半導體在哈爾濱新區打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導體產(chǎn)學(xué)研聚集區，實(shí)現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長(cháng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應商。 |
