Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場(chǎng)效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專(zhuān)為包括固態(tài)斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應用中至關(guān)重要。
UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件。較低的導通電阻使發(fā)熱量顯著(zhù)降低，加之緊湊的 TOLL 封裝，使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類(lèi)產(chǎn)品小 40%。新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求，且無(wú)需復雜的冷卻系統即可運行，加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態(tài)斷路器（SSCB）的轉型。 “隨著(zhù) UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 將繼續領(lǐng)導 SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng )新，以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發(fā)展�！盦orvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市場(chǎng)正迅速增長(cháng)，Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑�！� Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用，能夠在電路故障時(shí)承受極高的浪涌電流并實(shí)現關(guān)斷，非常適合應對電路保護領(lǐng)域的挑戰。其最新款 JFET 還能承受高瞬時(shí)結溫而不發(fā)生性能劣化或參數漂移。JFET 的常開(kāi)特性使其能無(wú)縫集成到默認導通狀態(tài)的系統中，并在故障條件下轉為關(guān)斷狀態(tài)。 UJ4N075004L8S 現已提供樣品，并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn)；屆時(shí)，Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品，包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品，均采用 TO-247 封裝。獲取有關(guān)這一變革性電源技術(shù)的更多詳情及詳細產(chǎn)品規格，請訪(fǎng)問(wèn) Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。 |
