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來(lái)源：IT之家 韓媒 ETNews 近日報道稱(chēng)，三星電子 AVP 先進(jìn)封裝部門(mén)正在開(kāi)發(fā)面向 AI 半導體芯片的新型“3.3D”先進(jìn)封裝技術(shù)，目標 2026 年二季度實(shí)現量產(chǎn)。 韓媒給出的概念圖顯示，這一 3.3D 封裝技術(shù)整合了三星電子多項先進(jìn)異構集成技術(shù)。 
▲ 圖源 ETNews 概念圖中 GPU（AI 計算芯片）垂直堆疊在 LCC（IT之家注：即 SRAM 緩存）之上，兩部分鍵合為一體，這點(diǎn)類(lèi)似于三星電子現有 X-Cube 3D IC 封裝技術(shù)。
▲ 三星 X-Cube 封裝技術(shù) 而在 GPU+LCC 緩存整體與 HBM 內存的互聯(lián)中，這一 3.3D 封裝技術(shù)又與 I-CubeE 2.5 封裝技術(shù)有不少相似之處：
▲ 三星 I-CubeE 封裝技術(shù) GPU+LCC 緩存整體和 HBM 位于銅 RDL 重布線(xiàn)中介層上，用硅橋芯片實(shí)現裸晶之間的直接連接，而銅 RDL 重布線(xiàn)層又位于載板上方。 這一設計在大部分位置采用銅 RDL 重布線(xiàn)層代替價(jià)格可達前者十倍的硅中介層，僅在必要部分引入硅橋。 接近三星電子的消息源指出，該設計可在不犧牲芯片表現的前提下較完全采用硅中介層的方案降低 22% 生產(chǎn)成本。 此外三星電子還將在這一 3.3D 封裝技術(shù)中引入面板級（PLP）封裝，用大型方形載板替代面積有限的圓形晶圓，進(jìn)一步提升封裝生產(chǎn)效率。 韓媒認為，三星電子目標打造在價(jià)格和生產(chǎn)效率上均有顯著(zhù)優(yōu)勢的新一代 3.3D 封裝技術(shù)，在目前由臺積電主導的先進(jìn)封裝代工市場(chǎng)啃下更多無(wú)廠(chǎng)設計企業(yè)的訂單。 |
