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來(lái)源：IT之家 應用材料公司（Applied Materials, Inc.）于 7 月 8 日發(fā)布新聞稿，宣布推出芯片布線(xiàn)創(chuàng )新技術(shù)，通過(guò)業(yè)內首次在量產(chǎn)中使用釕，讓銅芯片布線(xiàn)擴展到 2 納米節點(diǎn)及更高水平，且電阻最高降幅達到 25%。 IT之家附上相關(guān)視頻介紹如下： 當前芯片的晶體管規模已經(jīng)發(fā)展到數百億級別，生產(chǎn)過(guò)程中需要使用微細銅線(xiàn)進(jìn)行連接，總長(cháng)度可能超過(guò) 95.5 公里。 現有主流芯片布線(xiàn)通常從一層介電材料薄膜開(kāi)始，經(jīng)過(guò)蝕刻工藝之后，形成可以填充銅細線(xiàn)的通道。 而在過(guò)去數十年發(fā)展中，業(yè)界的主要布線(xiàn)組合采用低介電常數薄膜和銅，蝕刻每一層低介電常數薄膜，以形成溝槽，然后沉積一層阻障層，防止銅遷移到芯片中造成良率問(wèn)題。 
接著(zhù)，在阻障層涂上一層襯墊，確保在最終的銅回流沉積過(guò)程中的附著(zhù)力，從而緩慢地用銅填充剩余的體積，然后不斷迭代改進(jìn)微縮、性能和功耗等等。 應用材料最新提出了增強版 Black Diamond，是現有 Black Diamond PECVD（等離子體增強化學(xué)氣相沉積）系列的最新產(chǎn)品。
這種新材料降低了最小的 k 值，微縮推進(jìn)至 2 納米及以下，同時(shí)提供更高的機械結構強度，對將 3D 邏輯和存儲器堆棧升級到新的高度的芯片制造商和系統公司至關(guān)重要。 應材最新的整合性材料解決方案 IMS（Integrated Materials Solution），在一個(gè)高真空系統中結合了六種不同的技術(shù)，包括業(yè)界首創(chuàng )的材料組合，讓芯片制造商將銅布線(xiàn)微縮到 2 納米及以下節點(diǎn)。
該解決方案采用是釕和鈷（RuCo）的二元金屬組合，將襯墊厚度減少 33% 至 2nm，為無(wú)空隙銅回流產(chǎn)生更好的表面特性，此外線(xiàn)路電阻最高降幅 25%，從而提高芯片性能和功耗。 采用 Volta Ruthenium CVD（化學(xué)氣相沉積）技術(shù)的新型 Applied Endura Copper Barrier Seed IMS 已被所有領(lǐng)先的邏輯芯片制造商采用，并已開(kāi)始向 3 納米節點(diǎn)的客戶(hù)發(fā)貨。 |
