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瑞薩全新晶圓技術(shù)可以幫助MOSFET實(shí)現導通電阻降低30%、柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標 瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開(kāi)關(guān)性能�；谶@一創(chuàng )新產(chǎn)品的終端設備將廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)自行車(chē)、充電站、電動(dòng)工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。 
瑞薩開(kāi)發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導通電阻（MOSFET導通時(shí)漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導通電阻有助于顯著(zhù)降低客戶(hù)系統設計中的功率損耗。 REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。 除了優(yōu)秀的電氣特性外，瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標準TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學(xué)檢測。 Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來(lái)，瑞薩在MOSFET領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗和技術(shù)優(yōu)勢，憑借我們強大的制造能力和多個(gè)高產(chǎn)能工廠(chǎng)的供貨保障，瑞薩致力于為客戶(hù)提供卓越的產(chǎn)品和服務(wù)�！� 成功產(chǎn)品組合 瑞薩將全新MOSFET與其產(chǎn)品組合中的眾多器件相結合，推出多種“成功產(chǎn)品組合”方案，包括48V電動(dòng)平臺和三合一電動(dòng)汽車(chē)單元（逆變器、車(chē)載充電器、DC/DC轉換器）等。這些方案基于相互兼容且可無(wú)縫協(xié)作的產(chǎn)品，具備經(jīng)驗證的系統架構并帶來(lái)經(jīng)優(yōu)化的低風(fēng)險設計，以加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩現已基于其產(chǎn)品陣容中的各類(lèi)產(chǎn)品，推出超過(guò)400款“成功產(chǎn)品組合”，使客戶(hù)能夠加速設計過(guò)程，更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://www.renesas.com/win。 供貨信息 RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET現已量產(chǎn)。瑞薩還提供帶有應用說(shuō)明的參考設計，以幫助客戶(hù)縮短設計周期。了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.renesas.com/MOSFET。 |
