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5月11日，全球半導體材料研究機構TECHCET發(fā)布最新報告稱(chēng)，受全球半導體市場(chǎng)持續復蘇及先進(jìn)制程技術(shù)迭代推動(dòng)，2025年全球光刻材料市場(chǎng)收入預計同比增長(cháng)7%，達到50.6億美元（約合人民幣366.46億元）。這一增長(cháng)主要由EUV（極紫外光刻）光刻膠需求爆發(fā)式增長(cháng)驅動(dòng)，其年需求增速預計達30%，成為行業(yè)增長(cháng)的核心動(dòng)力。 市場(chǎng)復蘇與技術(shù)迭代雙輪驅動(dòng) TECHCET數據顯示，2024年全球光刻材料市場(chǎng)已實(shí)現溫和復蘇，收入同比增長(cháng)1.6%至47.4億美元。其中，EUV光刻膠表現尤為亮眼，同比增長(cháng)20%，遠超傳統光刻膠1%的增速。報告指出，這一增長(cháng)得益于邏輯芯片與DRAM芯片領(lǐng)域先進(jìn)制程（如3nm及以下節點(diǎn)）產(chǎn)能的快速擴張。隨著(zhù)臺積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠(chǎng)加速EUV光刻技術(shù)部署，EUV光刻膠需求持續攀升。 除EUV光刻膠外，輔助材料與擴展材料市場(chǎng)亦呈現穩健增長(cháng)態(tài)勢，2024年均實(shí)現2%的增幅。TECHCET分析認為，3D NAND閃存芯片對KrF和ArF光刻膠需求的增加，以及先進(jìn)封裝技術(shù)對高分辨率光刻材料的依賴(lài)，進(jìn)一步推動(dòng)了市場(chǎng)擴張。 EUV光刻膠：技術(shù)突破與市場(chǎng)滲透并進(jìn) EUV光刻膠的爆發(fā)式增長(cháng)，與其在先進(jìn)制程中的不可替代性密切相關(guān)。相比傳統光刻膠，EUV光刻膠需具備更高的分辨率、更低的線(xiàn)寬粗糙度（LWR）及更強的抗蝕刻性能，以滿(mǎn)足7nm以下節點(diǎn)的制造需求。目前，金屬氧化物、干式沉積等新型EUV光刻膠技術(shù)已成為行業(yè)焦點(diǎn)，其市場(chǎng)規模預計從2024年的約1.5億美元增長(cháng)至2025年的超2億美元，復合年增長(cháng)率達50%。 據TECHCET首席執行官Lita Shon-Roy透露，金屬氧化物光刻膠因光吸收性?xún)?yōu)異、蝕刻精度高，已被三星電子、SK海力士等企業(yè)引入量產(chǎn)線(xiàn)；而干式沉積技術(shù)則通過(guò)降低生產(chǎn)成本與能耗（原料需求減少5-10倍），成為晶圓廠(chǎng)降本增效的關(guān)鍵選擇。 供應鏈本地化與技術(shù)創(chuàng )新成未來(lái)焦點(diǎn) 展望未來(lái)，TECHCET預測2029年全球光刻材料市場(chǎng)將以6%的復合年增長(cháng)率持續增長(cháng)。報告特別強調，供應鏈本地化趨勢將重塑行業(yè)格局。為應對地緣政治風(fēng)險與技術(shù)封鎖，美國、韓國、中國臺灣及中國大陸等地正加速建設本土光刻材料生產(chǎn)基地，重點(diǎn)發(fā)展干法光刻膠沉積、納米壓印光刻等下一代技術(shù)。 此外，行業(yè)巨頭正通過(guò)并購與合作強化技術(shù)壁壘。例如，日本JSR收購美國Inpria公司后，已與SK海力士聯(lián)合開(kāi)發(fā)金屬氧化物光刻膠；信越化學(xué)、東京應化工業(yè)等企業(yè)則持續擴大EUV光刻膠產(chǎn)能，以搶占市場(chǎng)份額。 結語(yǔ) TECHCET的報告表明，半導體市場(chǎng)的復蘇與技術(shù)迭代的雙重驅動(dòng)下，光刻材料行業(yè)正迎來(lái)新一輪增長(cháng)周期。作為先進(jìn)制程的“卡脖子”環(huán)節，EUV光刻膠的國產(chǎn)化與技術(shù)突破將成為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈競爭的關(guān)鍵戰場(chǎng)。隨著(zhù)供應鏈本地化與技術(shù)創(chuàng )新加速，未來(lái)光刻材料市場(chǎng)的競爭格局或將迎來(lái)深刻變革。 |
