拓墣產(chǎn)研:半導體行業(yè)明年產(chǎn)值可望增4.5%

發(fā)布時(shí)間:2012-10-3 17:44    發(fā)布者:老電工
歐債危機沖擊全球景氣,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所昨下修今年半導體產(chǎn)值,由原預估的年增率3.2%降至0,不過(guò),2013年受惠智慧型手機及Ultrabook(超輕薄筆電)新機百花齊放,半導體產(chǎn)值年增率可達4.5%;其中,晶圓代工又因行動(dòng)通訊晶片朝更高階發(fā)展等因素,推升年成長(cháng)達7%最高。


拓墣產(chǎn)業(yè)研究所昨舉行2013年資訊產(chǎn)業(yè)大預測研討會(huì ),半導體研究中心副理陳蘭蘭針對2013年半導體產(chǎn)業(yè)景氣指出,今年Windows 8(Win 8)加上Ultrabook的推出,預估在2013年Ultrabook年增89%,不過(guò)筆記型電腦不含Ultrabook則年減4%,整體電腦出貨年增僅2%。因此,陳蘭蘭認為,半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)若要靠Win 8及Ultrabook推出,恐力有未逮。


今年下修至零成長(cháng)
另外,智慧型手機預估明年出貨量8.6億臺、年增26%,平板電腦出貨1.47億臺、年增42%。通訊產(chǎn)品仍將扮演半導體成長(cháng)支柱,她推估半導體產(chǎn)值在去年及今年連續2年0成長(cháng)后,預期明年在通訊產(chǎn)品及平板強勁成長(cháng)下,年成長(cháng)可望達4.5%。
其中,2013年因智慧型手機及平板裝置將朝向更高階的4核心處理器、4G(4th Generation,第4代行動(dòng)通訊技術(shù))及千萬(wàn)畫(huà)素相機感測元件等更復雜的功能,高階制程的晶圓代工產(chǎn)值預估年成長(cháng)7%。

不過(guò),陳蘭蘭說(shuō),由于三星等競爭對手的加入,臺積電(2330)今年在28奈米制程市占率逾8成的獨占情況,在明年包括瑞芯微等向格羅方德(GlobalFoundries)下單后,市占率恐大幅降至5成;而三星過(guò)去2年持續擴充產(chǎn)能,預估年底時(shí)產(chǎn)能將較年初成長(cháng)2倍,其中,12寸產(chǎn)能不僅超越聯(lián)電及格羅方德,與臺積電的產(chǎn)能差距,也將由目前僅臺積電的1/3拉近到一半水準。


IC設計可望成長(cháng)6.1%
此外,在成長(cháng)性較高的產(chǎn)業(yè)別中,陳蘭蘭預期晶片設計業(yè)今年多數公司受惠于智慧型手機及平板需求,包括高通、海思等年成長(cháng)均逾10%,預期IC設計業(yè)年產(chǎn)值成長(cháng)將由今年的5.1%成長(cháng)至明年的6.1%。

至于封測產(chǎn)業(yè)同樣受惠行動(dòng)通訊晶片出貨持續成長(cháng),再加上今年前3大封測廠(chǎng)在資本支出「大爆發(fā)」,可望為產(chǎn)值增溫,預期今年產(chǎn)值年增4.2%,明年可成長(cháng)5.5%。


NAND Flash恐供給過(guò)多
記憶體中,DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體)在業(yè)者無(wú)力及無(wú)意愿新增產(chǎn)能下,明年產(chǎn)值將由負轉為正成長(cháng)6%,NAND Flash(儲存型快閃記憶體)則在SK海力士擴產(chǎn)及三星于西安建廠(chǎng)因素影響,恐為2013年埋下供給過(guò)多的陰影。


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