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器件在4.5V下具有業(yè)內較低的13.5mΩ導通電阻，占位面積為2mm x 2mm和22mm x 3mm x 1.8mm Vishay推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET Gen III系列P溝道功率MOSFET。兩款MOSFET具有小占位的特點(diǎn)，在4.5V下具有相應外形尺寸產(chǎn)品中最低的導通電阻。 12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封裝，在4.5V下的導通電阻為13.5mΩ，比最接近的同檔器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的導通電阻為19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸規格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的導通電阻為22mΩ，比最接近的競爭器件低35%，在10V下具有業(yè)內較低的15mΩ導通電阻。 SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手機、平板電腦和移動(dòng)計算設備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應用中用做電池管理或負載開(kāi)關(guān)。MOSFET的小尺寸封裝可在這些產(chǎn)品中節約PCB空間，其低導通電阻能夠減少導通損耗，進(jìn)而減少功耗并延長(cháng)兩次充電間的電池壽命。MOSFET的低導通電阻還意味著(zhù)負載開(kāi)關(guān)上的電壓降更低，可防止有害的欠壓鎖定現象。 Si5429DU的電壓等級達到30V，可用于采用多芯鋰離子電池的終端產(chǎn)品，SiA447DJ可用在尺寸和更低導通電阻是關(guān)鍵考慮因素的場(chǎng)合。另外，SiA447DJ能夠在1.5V下導通，可與手持設備中常見(jiàn)的更低電壓的柵極驅動(dòng)和更低的總線(xiàn)電壓配合工作，節省電平轉換電路的空間和尺寸。 SiA447DJ和Si5429DU進(jìn)行了100%的Rg測試，符合RoHS，無(wú)鹵素。如果需要更多信息，以便為您的應用選擇合適的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET，請訪(fǎng)問(wèn)http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。 新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
